天科合達(dá)完成Pre-IPO輪融資

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 02 月 13 日 17:07 | 分類 碳化硅SiC

根據(jù)京銘資本2月11日發(fā)布的消息,北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱:天科合達(dá))近期完成了Pre-IPO輪融資,京銘資本體系京銘鴻瑞產(chǎn)業(yè)基金、歷金銘科產(chǎn)業(yè)基金以及青島匯鑄英才產(chǎn)業(yè)基金等三支基金參與本輪融資,其他投資人包括國內(nèi)多家知名投資機(jī)構(gòu)。

據(jù)悉,2020年7月,天科合達(dá)在科創(chuàng)板申報IPO,2020年10月終止IPO;來到2022年4月,天科合達(dá)重啟IPO上市輔導(dǎo)工作,2021年11月,北京證監(jiān)局正式受理了天科合達(dá)的IPO輔導(dǎo)備案申請。此次完成Pre-IPO輪融資,意味著天科合達(dá)IPO之路更進(jìn)一步。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

天科合達(dá)成立于2006年9月,是我國碳化硅襯底龍頭企業(yè),產(chǎn)業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備和碳化硅單晶襯底制備。

技術(shù)方面,作為國內(nèi)最早實現(xiàn)SiC襯底產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)之一,天科合達(dá)在國內(nèi)率先成功研制出6英寸SiC襯底并掌握了制造技術(shù),相繼實現(xiàn)2-6英寸SiC襯底產(chǎn)品的規(guī)?;?yīng)。

2020年,天科合達(dá)開始開展8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作,目前已突破了8英寸晶體擴(kuò)徑生長和晶片加工等關(guān)鍵技術(shù)難題,并在2022年11月發(fā)布8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底。天科合達(dá)還計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)。

產(chǎn)能方面,天科合達(dá)的第三代半導(dǎo)體SiC襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目已于2020年8月開工,總投資約9.5億元。該項目將建設(shè)一條400臺/套SiC單晶生長爐及配套切、磨、拋加工設(shè)備的SiC襯底生產(chǎn)線,建設(shè)完成后將形成12萬片6英寸SiC襯底的年產(chǎn)能。

同時,天科合達(dá)的參股公司深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司于2021年9月競得第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重點產(chǎn)業(yè)建設(shè)項目用地。2022年8月,項目正式開始施工,并于同年11月封頂。據(jù)悉,該項目是廣東省2022年重點建設(shè)項目、深圳市2022年重大項目,項目建成后將有效彌補(bǔ)國內(nèi)6英寸SiC單晶襯底和外延產(chǎn)能缺口,并逐步擺脫下游產(chǎn)業(yè)對進(jìn)口SiC材料的依賴。(化合物半導(dǎo)體市場 Winter整理)

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