根據(jù)京銘資本2月11日發(fā)布的消息，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：天科合達(dá)）近期完成了Pre-IPO輪融資，京銘資本體系京銘鴻瑞產(chǎn)業(yè)基金、歷金銘科產(chǎn)業(yè)基金以及青島匯鑄英才產(chǎn)業(yè)基金等三支基金參與本輪融資，其他投資人包括國(guó)內(nèi)多家知名投資機(jī)構(gòu)。
據(jù)悉，2020年7月，天科合達(dá)在科創(chuàng)板申報(bào)IPO，2020年10月終止IPO；來(lái)到2022年4月，天科合達(dá)重啟IPO上市輔導(dǎo)工作，2021年11月，北京證監(jiān)局正式受理了天科合達(dá)的IPO輔導(dǎo)備案申請(qǐng)。此次完成Pre-IPO輪融資，意味著天科合達(dá)IPO之路更進(jìn)一步。
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天科合達(dá)成立于2006年9月，是我國(guó)碳化硅襯底龍頭企業(yè)，產(chǎn)業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長(zhǎng)原料制備和碳化硅單晶襯底制備。
技術(shù)方面，作為國(guó)內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)SiC襯底產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)之一，天科合達(dá)在國(guó)內(nèi)率先成功研制出6英寸SiC襯底并掌握了制造技術(shù)，相繼實(shí)現(xiàn)2-6英寸SiC襯底產(chǎn)品的規(guī)模化供應(yīng)。
2020年，天科合達(dá)開(kāi)始開(kāi)展8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作，目前已突破了8英寸晶體擴(kuò)徑生長(zhǎng)和晶片加工等關(guān)鍵技術(shù)難題，并在2022年11月發(fā)布8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底。天科合達(dá)還計(jì)劃在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)。
產(chǎn)能方面，天科合達(dá)的第三代半導(dǎo)體SiC襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目已于2020年8月開(kāi)工，總投資約9.5億元。該項(xiàng)目將建設(shè)一條400臺(tái)/套SiC單晶生長(zhǎng)爐及配套切、磨、拋加工設(shè)備的SiC襯底生產(chǎn)線，建設(shè)完成后將形成12萬(wàn)片6英寸SiC襯底的年產(chǎn)能。
同時(shí)，天科合達(dá)的參股公司深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司于2021年9月競(jìng)得第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)建設(shè)項(xiàng)目用地。2022年8月，項(xiàng)目正式開(kāi)始施工，并于同年11月封頂。據(jù)悉，該項(xiàng)目是廣東省2022年重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目、深圳市2022年重大項(xiàng)目，項(xiàng)目建成后將有效彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)6英寸SiC單晶襯底和外延產(chǎn)能缺口，并逐步擺脫下游產(chǎn)業(yè)對(duì)進(jìn)口SiC材料的依賴(lài)。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理）
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