近年來，隨著SiC應用領域的擴展，需求的激增，產業(yè)對于SiC外延片品質和產能要求不斷提高，SiC外延設備也就占據(jù)了產業(yè)鏈上游關鍵環(huán)節(jié)。
SiC外延層的制備方法主要有：化學氣相沉積（CVD）；液相外延生長（LPE）；分子束外延生長（MBE）等。其中CVD法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點，是目前已經(jīng)成功商業(yè)化的SiC外延技術 。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導體前沿趨勢研討會”。
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