近年來(lái)，隨著SiC應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，需求的激增，產(chǎn)業(yè)對(duì)于SiC外延片品質(zhì)和產(chǎn)能要求不斷提高，SiC外延設(shè)備也就占據(jù)了產(chǎn)業(yè)鏈上游關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
SiC外延層的制備方法主要有：化學(xué)氣相沉積（CVD）；液相外延生長(zhǎng)（LPE）；分子束外延生長(zhǎng)（MBE）等。其中CVD法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過(guò)程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是目前已經(jīng)成功商業(yè)化的SiC外延技術(shù) 。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬(wàn)豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”。
屆時(shí)，納設(shè)智能 CEO 陳炳安博士將出席，給大家?guī)?lái)《SiC外延生長(zhǎng)裝備的創(chuàng)新發(fā)展》主題演講，同場(chǎng)還有更多“重量級(jí)”嘉賓，給大家進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來(lái)。
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