“能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。
2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導的工程研究人員從美國國家科學基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學開始建設一個國家級SiC研究和制造中心。
該SiC研究與制造中心一方面為美國學生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線，能夠讓美國大學，企業(yè)以及政府研究人員進行長期的競爭性研究。該項目的建設周期為五年，第一階段對現(xiàn)有潔凈實驗室的擴建就于明年正式運營。
對于該研究中心來說，這是一筆不菲的資金，但對于美國國家科學基金（NSF）來說，這只是其在寬禁帶半導體布局的一個縮影。
01、美國持續(xù)加注化合物半導體
美國對第三代半導體的資助由來已久，2000年美國能源部、國防部以及科學技術(shù)委員會便制定了有關(guān)GaN和SiC半導體材料的開發(fā)項目；2010年，美國推出寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新計劃，推動高性能 SiC、GaN 材料在雷達、武器、電子通信與對抗等系統(tǒng)中的應用。
進入2013年，奧巴馬成立了清潔能源制造創(chuàng)新學院，重點聚焦寬禁帶半導體的研究和發(fā)展，2014年奧巴馬又在北卡羅來納州立大學建立下一代電力電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心，加速、加強寬禁帶半導體技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，美國能源部在此后5年里向該中心提供了7000萬美元的財政支持，另外還將有7000萬美元配套資金分別來自企業(yè)、高校等創(chuàng)新中心成員和北卡羅來納州政府。
此外，2017年，美國能源部又宣布使用創(chuàng)新的拓撲結(jié)構(gòu)和半導體創(chuàng)造新型可靠電路(CIRCUITS)計劃，該計劃投資3000萬美元資助21個項目，聚焦新型電路拓撲結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)設計，最大化第三代寬禁帶半導體器件的性能，資助的企業(yè)包括Wolfspeed、Infineon等眾多企業(yè)和機構(gòu)。在過去的20年里，美國對化合物半導體的關(guān)注貫穿了歷屆政府。
02、SiC半導體競賽
根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，受惠于下游應用市場的強勁需求的帶動，SiC正在進入一個高速發(fā)展期。僅以SiC功率元器件來看，截至2026年，SiC功率元器件的市場規(guī)模可達到53.3億美元。
而SiC在新能源汽車、光伏、軍工等領(lǐng)域廣泛應用，也讓其成為各國關(guān)注的焦點。目前各主要半導體國家都在針對SiC進行著曠日持久的軍備競賽，而手段包括基金投資，政策扶持，免稅等措施。
美國有未來產(chǎn)業(yè)制造基金（AMF）、國家制造創(chuàng)新網(wǎng)絡（NNMI）、以及國家科學基金（NSF）等眾多具有國家背景的基金對SiC、GaN等寬禁帶半導體進行支持。以國家科學基金（NSF）為例，其不僅支持了阿肯色大學的SiC研究制造中心，還向一家名為MONSTR Sense企業(yè)撥款，以推動后者在SiC和GaN領(lǐng)域檢測設備的開發(fā)。
美國之外，歐洲、日本、韓國等半導體強國也有基金對SiC等寬禁帶半導體進行扶持，這些基金的資金既有來自政府背景的，也有來自民間背景。
除了基金扶持之外，針對從事SiC、GaN等領(lǐng)域研究與制造的企業(yè)，各國也都有相應的稅收減免，包括對設備折舊、知識產(chǎn)權(quán)、研發(fā)、股票期權(quán)等多方面進行稅收減免。比如，歐洲方面，一些歐盟成員國會提供稅收優(yōu)惠來吸引投資，一些國家會為專利和商標等知識產(chǎn)權(quán)的開發(fā)及商業(yè)化提供稅收優(yōu)惠。而日本方面，部分企業(yè)有資格享受研發(fā)費用特別稅收減免，最高可減研發(fā)費用的30%。
03、總結(jié)
正如文章開頭Alan Mantooth教授所言，以SiC為首的第三代化合物半導體能夠重塑全新的市場格局，誰能夠領(lǐng)先，誰就掌握了游戲規(guī)則，正是基于此，各半導體大國都在不遺余力的發(fā)展本國SiC產(chǎn)業(yè)。（文：集邦化合物半導體 Jump）
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