六方半導(dǎo)體完成近億元融資,發(fā)力碳化硅涂層領(lǐng)域

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 02 日 17:36 | 分類 企業(yè)

近日,浙江六方半導(dǎo)體科技有限公司完成近億元B1輪融資,本輪融資由軒元資本、勁邦資本領(lǐng)投,倍特基金、立元?jiǎng)?chuàng)投跟投。

這是該公司在去年底完成由立昂微、江豐電子及關(guān)聯(lián)方的戰(zhàn)略投資后,完成的新一輪融資。六方半導(dǎo)體表示,融資資金將用于加速下游市場(chǎng)滲透、產(chǎn)能進(jìn)一步提升和技術(shù)與工藝的迭代。

官網(wǎng)資料顯示,六方半導(dǎo)體致力于半導(dǎo)體新材料研發(fā),聚焦碳化硅涂層技術(shù)的研發(fā)及其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用,公司主要產(chǎn)品為L(zhǎng)ED芯片外延用SiC涂層基座、硅單晶外延基座、第三代半導(dǎo)體外延基座和組件、碳化鉭涂層等。

值得注意的是,半導(dǎo)體涂層材料作為各類芯片工藝方面的關(guān)鍵耗材,一直以來(lái)被國(guó)外企業(yè)壟斷。在國(guó)內(nèi),由于該領(lǐng)域起步遲,產(chǎn)業(yè)鏈成熟晚,且存在較高的技術(shù)和工藝門(mén)檻,對(duì)參與者提出了很高的要求。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

六方半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)多年沉淀,已成為半導(dǎo)體涂層材料國(guó)產(chǎn)替代的先行者。技術(shù)方面,公司擁有SiC/TaC/Solid SiC等多產(chǎn)品矩陣技術(shù)和工藝研發(fā)能力、關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)能力;量產(chǎn)方面,公司具備石墨純化、精密加工、精密檢測(cè)、CVD涂層的全鏈路規(guī)?;a(chǎn)能力;市場(chǎng)方面,公司在LED外延、Si外延及氧化擴(kuò)散等工藝、第三代半導(dǎo)體外延、新一代光伏等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了量產(chǎn)供應(yīng)。

值得一提的是,另一家碳化硅涂層相關(guān)企業(yè)湖南德智新材料有限公司近日也宣布完成由國(guó)風(fēng)投(北京)智造基金、博華資本、元禾重元、恒信華業(yè)聯(lián)合領(lǐng)投,中信證券投資、中車資本、山證投資、交銀國(guó)際、國(guó)舜投資等參投的數(shù)億元人民幣戰(zhàn)略融資。

目前,德智新材料已開(kāi)發(fā)SiC刻蝕環(huán)、SiC晶舟等一系列半導(dǎo)體用SiC部件制品。其中,該公司在12吋大硅片外延用SiC涂層石墨盤(pán)、實(shí)體SiC刻蝕環(huán)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,成為國(guó)內(nèi)極少具備量產(chǎn)能力的企業(yè)。

據(jù)了解,利用CVD氣相沉積技術(shù)生成的碳化硅材料,相比于燒結(jié)成型的碳化硅材料純度更高,因此SiC涂層技術(shù)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用廣泛,特別是LED外延生長(zhǎng)過(guò)程中的載盤(pán)及Si單晶外延中用到的載盤(pán),都需要用到SiC涂層技術(shù)。由于LED在照明及顯示產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展,以及半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展,對(duì)SiC涂層技術(shù)及產(chǎn)品的需求正持續(xù)增加。(化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Zac整理)

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