據(jù)外媒報(bào)道，11月11日，印度國(guó)防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實(shí)驗(yàn)室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長(zhǎng)和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達(dá)150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在最高X波段頻率的應(yīng)用中發(fā)揮作用。
印度國(guó)防部表示，SiC/GaN技術(shù)是國(guó)防、航空航天和清潔能源領(lǐng)域下一代應(yīng)用的關(guān)鍵推動(dòng)因素。這類先進(jìn)技術(shù)可提高器件效率、減小尺寸和重量，并增強(qiáng)性能，使其在未來作戰(zhàn)系統(tǒng)、雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)和綠色能源解決方案發(fā)揮重要作用。
隨著未來作戰(zhàn)系統(tǒng)對(duì)更輕、更緊湊電源的需求不斷增長(zhǎng)，碳化硅/氮化鎵技術(shù)為軍事和商業(yè)領(lǐng)域的通信、情報(bào)、偵察和無(wú)人系統(tǒng)(包括電動(dòng)汽車和可再生能源)提供了重要基礎(chǔ)。報(bào)道還指出，位于海得拉巴邦的SiC/GaN技術(shù)中心，可通過本土技術(shù)初步生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）MMIC，可滿足新一代太空、航空航天和 5G/衛(wèi)星通信的廣泛應(yīng)用。
印度多個(gè)SiC/GaN項(xiàng)目加速推進(jìn)
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解到，今年印度多個(gè)SiC/GaN項(xiàng)目有新進(jìn)展，具體如下：
今年6月中旬，總部位于印度欽奈的SiCSem宣布，計(jì)劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測(cè)試和封裝（ATMP）工廠。
與此同時(shí)，SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個(gè)項(xiàng)目是在IIT-BBS實(shí)現(xiàn)SiC晶體生長(zhǎng)的本土化。這一項(xiàng)目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產(chǎn)，預(yù)估耗資4.5億盧比。
8月5日，印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech正式收購(gòu)了美國(guó)公司Nisene。據(jù)悉，Nisene在Si和SiC材料方面的擁有專業(yè)知識(shí)，結(jié)合Polymatech的藍(lán)寶石基半導(dǎo)體技術(shù)，將幫助后者成為一家多晶圓公司。
8月中旬，L & T Semiconductor Technologies（LTSCT）計(jì)劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個(gè)半導(dǎo)體制造工廠，分別專注于硅、SiC和GaN技術(shù)。
9月4日，美國(guó)Silicon Power Group在印子公司RIR Power Electronics Limited宣布，公司投資62億盧比在印度奧里薩邦建設(shè)的SiC制造工廠已奠基動(dòng)工。該工廠將用于生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，預(yù)計(jì)2025年全面投產(chǎn)。
9月20日，印度Zoho集團(tuán)宣布，計(jì)劃在印度奧里薩邦Khurda區(qū)投資303.4億盧比建設(shè)一座SiC制造工廠。該工廠的設(shè)計(jì)將覆蓋整個(gè)SiC生產(chǎn)鏈，從晶錠制造到晶圓、MOSFET、模塊，再到后續(xù)的改裝和封裝。工廠年產(chǎn)能預(yù)計(jì)包括7.2萬(wàn)片SiC外延晶圓、7.2萬(wàn)個(gè)MOSFET和模塊，產(chǎn)品將應(yīng)用于電動(dòng)汽車、汽車及可再生能源領(lǐng)域。
9月22日，印度總理莫迪宣布，美印兩國(guó)將共同在印度建立一家芯片制造廠。該工廠將專注于為國(guó)家安全、下一代電信和綠色能源應(yīng)用提供先進(jìn)的感應(yīng)、通信和電力電子技術(shù)，生產(chǎn)紅外、GaN和SiC芯片。據(jù)悉，印度半導(dǎo)體任務(wù)以及巴拉特半導(dǎo)體公司、3rdiTech公司和美國(guó)太空部隊(duì)的戰(zhàn)略技術(shù)合作將為其提供支持。
11月，印度GaN初創(chuàng)公司Agnit已經(jīng)完成350萬(wàn)美元的種子輪融資。
該筆資金將用于提升4英寸GaN-on-SiC外延片的生產(chǎn)質(zhì)量，滿足射頻器件的需求，同時(shí)提高6英寸GaN-on-Silicon晶圓的生產(chǎn)能力，以應(yīng)對(duì)功率器件市場(chǎng)需求。資金還將用于增強(qiáng)器件的可靠性，符合市場(chǎng)的多種標(biāo)準(zhǔn)。此外，這筆投資還將支持原型開發(fā)，尤其是面向印度本土市場(chǎng)的功率器件和電信領(lǐng)域的射頻器件。
結(jié)語(yǔ)
近年來，隨著以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，促使一些國(guó)家開始重視該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。印度今年多個(gè)三代半項(xiàng)目落地，可以從側(cè)面反映其在推動(dòng)本土技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面的決心。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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