8英寸碳化硅,天科合達(dá)北京二期項(xiàng)目正式開工

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:53 | 分類 功率

11月12日,北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“天科合達(dá)”)“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目”開工儀式在北京順利舉行。

天科合達(dá)

source:天科合達(dá)

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前報(bào)道,二期項(xiàng)目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程?hào)|側(cè)空地;項(xiàng)目總占地面積52790.032m2,總建筑面積105913.29m2,包括生產(chǎn)廠房、化學(xué)品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛(wèi)等。

公司擬購置長晶及附屬、晶體加工、晶片加工等工藝設(shè)備,新建6-8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線及研發(fā)中心,以及相關(guān)配套設(shè)施。

項(xiàng)目用于擴(kuò)大公司碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能,同時(shí)建設(shè)研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化和完善,投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底,其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片,8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

天科合達(dá)指出,該擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目旨在打造行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的智能化生產(chǎn)線,量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。該項(xiàng)目全面投產(chǎn)后,公司的產(chǎn)能將得到顯著提升,進(jìn)一步鞏固其在碳化硅襯底市場的領(lǐng)先地位。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。