英飛凌官宣，首批8英寸SiC產(chǎn)品問(wèn)世
作者 | 發(fā)布日期 2025 年 02 月 17 日 14:45 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
2月14日，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產(chǎn)品。據(jù)悉，這些產(chǎn)品將在奧地利菲拉赫制造，為包括可再生能源、火車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)在內(nèi)的高壓應(yīng)用提供一流的碳化硅功率技術(shù)。
這一舉措標(biāo)志著英飛凌在碳化硅技術(shù)應(yīng)用上邁出了重要一步，有望進(jìn)一步提升相關(guān)領(lǐng)域的能源效率和性能表現(xiàn)。尤其在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，英飛凌不斷拓展合作版圖。
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英飛凌在生產(chǎn)布局上也有著重大進(jìn)展，其位于馬來(lái)西亞居林的制造基地正順利從150毫米晶圓向200毫米直徑晶圓轉(zhuǎn)換，其新建Module 3 廠房已準(zhǔn)備好根據(jù)市場(chǎng)需求開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。

2022年2月，英飛凌宣布斥資逾20億歐元在居林工廠建造第三廠區(qū)（Module3廠），目前該廠已正式落成并開(kāi)始運(yùn)作，預(yù)計(jì)2025年開(kāi)始量產(chǎn)。初期碳化硅生產(chǎn)以6寸晶圓為主，計(jì)劃在2027年全面轉(zhuǎn)向8寸晶圓生產(chǎn)。英飛凌表示已獲得約50億歐元的新設(shè)計(jì)訂單以及來(lái)自現(xiàn)有和新客戶的10億歐元左右的預(yù)付款，用于廠房的持續(xù)擴(kuò)建，部分設(shè)計(jì)訂單來(lái)自6家汽車(chē)OEM廠商。
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此外，英飛凌還在新聞稿中表示，居林工廠與菲拉赫生產(chǎn)基地協(xié)同發(fā)展，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的第三廠區(qū)與位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地緊密相連，形成了一個(gè)專(zhuān)注于寬帶隙（WBG）技術(shù)的“虛擬協(xié)同工廠”。這個(gè)虛擬工廠可以共享技術(shù)和工藝，實(shí)現(xiàn)快速量產(chǎn)和平穩(wěn)高效地運(yùn)營(yíng)。
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這種協(xié)同有助于產(chǎn)能的提升。據(jù)悉，英飛凌已于2023年提高了菲拉赫工廠在碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體方面的產(chǎn)能。這種緊密結(jié)合的兩座生產(chǎn)基地，實(shí)際上形成了一個(gè)專(zhuān)注于寬禁帶技術(shù)的“虛擬協(xié)同工廠”，可以共享技術(shù)和工藝。
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英飛凌預(yù)計(jì)，通過(guò)在菲拉赫與居林工廠的200毫米SiC改造，有望使SiC的年?duì)I收達(dá)到約70億歐元。英飛凌的目標(biāo)是在2030年之前占據(jù)全球30% SiC市場(chǎng)份額。
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早在技術(shù)研發(fā)方面，2024 年 5 月，英飛凌就推出了新一代400V碳化硅MOSFET系列，這是第二代（G2）CoolSiC?技術(shù)的升級(jí)版。與市場(chǎng)現(xiàn)有的650V SiC和Si MOSFET相比，具有超低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。作為AI服務(wù)器電源裝置的AC/DC級(jí)，采用多級(jí)PFC，功率密度達(dá)到 100W/in3以上，效率高達(dá)99.5%，與采用650V SiC MOSFET的解決方案相比，提高了0.3個(gè)百分點(diǎn)。這一技術(shù)突破為數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的能源高效利用提供了有力支持。
值得注意的是，2025年1月29日，據(jù)Power Electronics World報(bào)道，國(guó)際汽車(chē)供應(yīng)商Forvia Hella已選擇英飛凌1200V汽車(chē)級(jí)SiC MOSFET作為其下一代800V DC/DC充電解決方案。英飛凌的CoolSiCMOSFET采用Q – DPAK封裝，專(zhuān)為800V汽車(chē)架構(gòu)中的車(chē)載充電器和DCDC應(yīng)用而設(shè)計(jì)，此次合作將助力Forvia Hella打造更高效的充電解決方案，也進(jìn)一步鞏固了英飛凌在汽車(chē)碳化硅應(yīng)用市場(chǎng)的地位。