在半導(dǎo)體行業(yè)蓬勃發(fā)展，5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)驅(qū)動(dòng)芯片性能需求攀升的當(dāng)下，先進(jìn)鍵合技術(shù)成為產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵。
近日，青禾晶元在混合鍵合與C2W技術(shù)上取得突破。其青禾晶元新廠房鍵合設(shè)備二期擴(kuò)產(chǎn)線及總部辦公建設(shè)項(xiàng)目已正式開工，項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備約100臺(tái)套，年產(chǎn)值近15億。
source:?青禾晶元官網(wǎng)
混合鍵合技術(shù)，作為先進(jìn)鍵合領(lǐng)域的一項(xiàng)創(chuàng)新，其基本原理是通過將不同材料或不同工藝的芯片進(jìn)行高精度、高可靠性的鍵合，實(shí)現(xiàn)芯片間的高效互聯(lián)。
這項(xiàng)技術(shù)不僅提高了芯片的集成度，還顯著增強(qiáng)了芯片的熱性能和電性能。在人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域，混合鍵合技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢，正逐漸成為提升設(shè)備性能、降低功耗的關(guān)鍵技術(shù)。
據(jù)悉，青禾晶元作為這一領(lǐng)域的先行者，其混合鍵合技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先水平。其成功攻克了高精度快速對準(zhǔn)、鍵合偏移精密控制、晶圓變形智能補(bǔ)償、高效率表面活化等關(guān)鍵技術(shù)。這些技術(shù)突破不僅提升了產(chǎn)品的性能，還為客戶提供了更加可靠、高效的芯片解決方案。
C2W（芯片到晶圓）鍵合相比W2W（晶圓到晶圓）具有更高的靈活性，可單獨(dú)測試篩選優(yōu)質(zhì)芯片再鍵合，降低整體缺陷率；支持異構(gòu)集成（不同工藝節(jié)點(diǎn)/尺寸芯片組合），減少材料浪費(fèi)，降低成本、提升效益。
據(jù)悉，青禾晶元自主研發(fā)的12英寸C2W晶圓鍵合機(jī)對準(zhǔn)精度達(dá)到±50nm，鍵合后精度優(yōu)于100nm，創(chuàng)新的從下往上鍵合方式可以避免芯片翻轉(zhuǎn)過程中的鍵合面污染、降低顆粒增加值。相比于傳統(tǒng)的C2W鍵合技術(shù)，新技術(shù)提高了鍵合良率，進(jìn)一步證明了公司在先進(jìn)鍵合技術(shù)領(lǐng)域的實(shí)力。
值得注意的是，在2024年4月11日，青禾晶元成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底，而在2024年12月10日，青禾晶元與合作伙伴基于6英寸Emerald-SiC復(fù)合襯底，成功研發(fā)出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。這些進(jìn)展不僅提升了產(chǎn)品性能，還為客戶提供了更加可靠、高效的芯片解決方案。
近日，青禾晶元新廠房開工儀式剛剛舉行。
據(jù)官方報(bào)道，此次開工的項(xiàng)目是鍵合設(shè)備二期擴(kuò)產(chǎn)線及總部辦公建設(shè)項(xiàng)目，規(guī)劃總面積達(dá)17000平米。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備約100臺(tái)套，年產(chǎn)值近15億。
source:?青禾晶元官網(wǎng)
新廠房的建成，將極大地?cái)U(kuò)大青禾晶元的產(chǎn)能，提升研發(fā)能力。新廠房可滿足W2W混合鍵合、C2W混合鍵合及高精度倒裝芯片鍵合、超高真空常溫晶圓鍵合、熱壓陽極晶圓鍵合等多型號(hào)設(shè)備的連續(xù)生產(chǎn)，滿足市場對高端鍵合裝備的需求。同時(shí)，新廠房還將引入智能化管理系統(tǒng)，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。
在更早的2024年4月11日，青禾晶元通過技術(shù)創(chuàng)新，成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底。而在2024年12月10日，青禾晶元與中科院微電子所高頻高壓中心及南京電子器件研究所深度合作，共同基于6英寸Emerald-SiC復(fù)合襯底，成功研發(fā)出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。
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