過去一年，碳化硅在工藝技術(shù)和生產(chǎn)效率方面取得了重大進展，全球8英寸碳化硅晶圓已進入技術(shù)成熟與規(guī)模應用階段。
近期，意法半導體意法半導體中國區(qū)-功率分立和模擬產(chǎn)品器件部-市場及應用副總裁Francesco MUGGERI對外談及了8英寸碳化硅未來發(fā)展。
Francesco表示，邁向8英寸是碳化硅行業(yè)取得的一次巨大進步，大尺寸晶圓帶來了更高良率以及更低的制造成本。意法半導體與三安在中國重慶投資成立了一家8英寸SiC功率器件合資制造廠（安意法半導體有限公司），計劃今年第四季度投開始投產(chǎn)，2028年全面建成。
source：意法半導體
此前，全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢指出，碳化硅從6英寸升級到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但可以提升芯片產(chǎn)量，8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸碳化硅晶圓的1.8倍，向8英寸轉(zhuǎn)型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同時，8英寸襯底厚度增加有助于在加工時保持幾何形狀，減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。
另據(jù)業(yè)界透露，8英寸碳化硅正驅(qū)動多個應用場景爆發(fā)，電動汽車領(lǐng)域800V平臺成為標配；光伏領(lǐng)域碳化硅器件效率達98%以上，光儲一體化方案成為行業(yè)標配；此外在新興市場，8英寸襯底可生產(chǎn)3-4副AR眼鏡，成本下降將加速AR眼鏡等應用發(fā)展。
產(chǎn)能布局上，中國憑借產(chǎn)能、成本及政策優(yōu)勢不斷成為8英寸碳化硅市場主導力量，歐美日企業(yè)則通過技術(shù)升級與合資合作應對競爭。
展望未來，隨著成本持續(xù)下降與應用場景拓展，碳化硅技術(shù)有望引領(lǐng)全球半導體產(chǎn)業(yè)進入高效、低碳的新紀元。（集邦化合物半導體秦妍整理）