4月15日，上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體（上海）有限公司發(fā)布了關(guān)于其無錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項(xiàng)目的環(huán)境影響評價(jià)（環(huán)評）公告。此次擴(kuò)建項(xiàng)目擬新增總投資3.1億元人民幣，旨在進(jìn)一步提升其在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)能。
source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖
根據(jù)公告，計(jì)劃選址于無錫分公司，新增第二代框架式功率模塊產(chǎn)品150萬片產(chǎn)能。擴(kuò)建項(xiàng)目完成后，上汽英飛凌無錫分公司的年產(chǎn)能將從現(xiàn)有的260萬個(gè)提升至420萬個(gè)。
公開資料顯示，上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體（上海）有限公司由上汽集團(tuán)（持股51%）與英飛凌（持股49%）于2018年3月合資成立，總部位于上海，生產(chǎn)基地位于英飛凌無錫工廠的擴(kuò)建項(xiàng)目內(nèi)，在2018下半年開始批量生產(chǎn)。
英飛凌無錫工廠則成立于1995年，前身為西門子半導(dǎo)體無錫工廠，專注于半導(dǎo)體后道封裝測試、功率半導(dǎo)體（如IGBT模塊）及智能卡芯片生產(chǎn)。
今年3月，英飛凌舉行了“無錫新樓啟用暨落戶30周年慶典”活動，歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。
source：英飛凌
回顧英飛凌無錫工廠發(fā)展，最早可追溯到2015年，英飛凌在無錫增資，設(shè)立了英飛凌半導(dǎo)體（無錫）有限公司，生產(chǎn)IGBT模塊。2020年11月6日，英飛凌宣布將新增在華投資，擴(kuò)大其無錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。
英飛凌《年產(chǎn)180萬個(gè)汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)品無錫分公司項(xiàng)目》環(huán)評文件顯示，2019年該項(xiàng)目取得無錫市新吳區(qū)安全生產(chǎn)監(jiān)督管理和環(huán)境保護(hù)局批復(fù)，完成第一階段驗(yàn)收，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)汽車功率半導(dǎo)體70萬個(gè)生產(chǎn)能力。
2023年，上汽英飛凌新增總投資3.2532億元，在無錫分公司擴(kuò)建《260 萬個(gè)汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)品項(xiàng)目》。英飛凌對無錫全廠生產(chǎn)線生產(chǎn)能力進(jìn)行重新調(diào)配，將原環(huán)評審批的年產(chǎn)汽車功率半導(dǎo)體180萬個(gè)生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)至年產(chǎn)260萬個(gè)汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。該項(xiàng)目已于2024 年5月取得新吳區(qū)行政審批局的立項(xiàng)備案意見。
2025年1月，無錫高新區(qū)（新吳區(qū)）舉行一季度重大項(xiàng)目，其中提到，英飛凌功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目引進(jìn)暨無錫生產(chǎn)基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正在加緊建設(shè)，總投資15.5億元。據(jù)無錫市人民政府消息，英飛凌無錫基地還在不斷擴(kuò)大規(guī)模，引進(jìn)全球最新的第三代功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品，打造國內(nèi)最具規(guī)模、國際技術(shù)一流的先進(jìn)功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)基地。
值得注意的是，上汽英飛凌的HybridPACK Drive功率模塊兼具高功率密度、低能量損耗的特點(diǎn)，采用英飛凌最先進(jìn)的第7代IGBT/EDT2芯片和首創(chuàng)的模塊封裝技術(shù)。
公開資料顯示，英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進(jìn)而將功率損耗減少15%以上。該技術(shù)已獲認(rèn)可并向客戶發(fā)布。另外，英飛凌已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率，推動GaN市場的快速增長。（集邦化合物半導(dǎo)體 王奇 整理）