英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車10月18日發(fā)布聲明稱，三方已簽署一項多年期SiC和Si功率半導體供應協(xié)議。
根據(jù)協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代起亞供應SiC和Si功率模塊與芯片，現(xiàn)代起亞則會出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設與儲備。
SiC等功率器件隨著新能源車的需求增加而爆火，作為業(yè)內(nèi)龍頭之一的英飛凌，今年與諸多企業(yè)展開了合作。
英飛凌與Resonac
今年1月，英飛凌官網(wǎng)宣布，他們再一次與Resonac Co., Ltd.（原昭和電工株式會社）簽署了一項新的多年供應和合作協(xié)議。
根據(jù)新協(xié)議，Resonac將為英飛凌提供生產(chǎn)SiC半導體元器件的SiC材料，包括6英寸和8英寸外延片。初期將以6英寸為主，后期也將供應8英寸SiC外延片，為英飛凌向8英寸晶圓轉(zhuǎn)型提供充分的材料支撐。此外，作為協(xié)議的一部分，英飛凌也將為Resonac提供SiC材料技術相關的知識產(chǎn)權。
英飛凌與天岳先進、天科合達
5月，英飛凌宣布分別與天科合達和天岳先進簽訂了長期協(xié)議，以確保獲得更多而且具有競爭力的碳化硅材料供應。
據(jù)悉，天科合達和天岳先進主要為英飛凌提供6英寸碳化硅襯底，同時還將提供8英寸碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸SiC晶圓過渡。
此外，協(xié)議還包括碳化硅晶錠，這是因為英飛凌曾投資近10億元收購了一家激光冷剝離企業(yè)，未來英飛凌將通過自主激光技術提升碳化硅襯底的利用率，提升器件的成本競爭力。
值得一提的是，天岳先進、天科合達的供應量均將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
英飛凌與鴻海集團
同月，據(jù)鴻海集團官網(wǎng)介紹，英飛凌與鴻海集團已簽訂一份合作備忘錄，兩家公司將在電動車領域建立長期合作關系。根據(jù)協(xié)議，雙方將聚焦于碳化硅技術在電動車大功率應用的導入，如：牽引逆變器、車載充電器以及直流轉(zhuǎn)換器等。此外，雙方還計劃在中國臺灣共同設立系統(tǒng)應用中心，以進一步擴大雙方的合作范圍。
英飛凌與Schweizer Electronic
同時，英飛凌還與Schweizer Electronic宣布攜手合作，雙方將通過創(chuàng)新合作進一步提升碳化硅芯片的效率。目前，雙方正在開發(fā)一款新的解決方案，旨在將英飛凌的 1200V CoolSiC?芯片直接嵌入PCB板，以顯著提高電動汽車的續(xù)航里程，并降低系統(tǒng)總成本。
英飛凌與英飛源
9月，英飛凌宣布與深圳英飛源（Infypower）合作，其將為 INFY 提供業(yè)界領先的 1200 V CoolSiC?MOSFET 功率半導體器件，以提高電動汽車充電站的效率。
為了擴大產(chǎn)能以達成在2030年前搶占全球SiC市場30%份額的目標，英飛凌在今年8月宣布，計劃在未來五年內(nèi)投資高達50億歐元，用于在馬來西亞建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠。（文：化合物半導體Morty整理）
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