近日據(jù)EeNews Europe報(bào)道，英飛凌綠色工業(yè)動力部門（GIP）總裁Peter Wawer近期在受訪時透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。
由此可見，英飛凌SiC晶圓的尺寸升級和產(chǎn)能建設(shè)都在穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中，未來幾年，將實(shí)現(xiàn)較大進(jìn)展。
據(jù)Wawer介紹，在2001年，英飛凌比Cree早兩個月推出了首款SiC二極管。公司早期開發(fā)是圍繞JFET進(jìn)行的，因?yàn)闁艠O氧化物可靠性問題使公司認(rèn)為這是正確的出路。隨后SiC MOSFET面世，英飛凌在這方面起步較晚。
盡管Wawer認(rèn)為英飛凌在SiC MOSFET方面并非先行者，但在整個SiC賽道，英飛凌似乎進(jìn)展相當(dāng)迅速。SiC批量市場目前以1200V產(chǎn)品為主，但英飛凌目前已開發(fā)3300V SiC部件。而且英飛凌對公司在2025財(cái)年的SiC營收，將提前實(shí)現(xiàn)10億歐元的目標(biāo)充滿了信心。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
英飛凌的信心來源于多個方面，其中包括對SiC未來發(fā)展?jié)摿Φ母兄?、產(chǎn)能方面的大手筆擴(kuò)建、將多個領(lǐng)域頭部客戶收入囊中、對未來市場份額的樂觀預(yù)估。
SiC未來發(fā)展?jié)摿薮笠殉蔀樾袠I(yè)共識。英飛凌預(yù)計(jì)在本十年內(nèi)，全球電網(wǎng)的年度投資將從3000億歐元增加到6000億歐元，而在這一領(lǐng)域，基于功率半導(dǎo)體的需求不斷增加，除IGBT外，現(xiàn)在客戶也在考慮SiC。同時，英飛凌還看到了火車牽引市場對SiC的需求，并正在向客戶提供第一個3.3kV模塊的樣品。
產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過大幅擴(kuò)建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，有消息稱，英飛凌將建造世界上最大的8英寸SiC功率芯片廠。值得一提的是，該擴(kuò)建計(jì)劃得到了英飛凌客戶的大力支持，包括汽車和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域約50億歐元訂單合同以及約10億歐元的預(yù)付款，其中汽車領(lǐng)域客戶包括福特、上汽和奇瑞，可再生能源領(lǐng)域客戶包括SolarEdge和中國三大光伏和儲能系統(tǒng)公司，這表明客戶對英飛凌穩(wěn)健發(fā)展的信心。此外，英飛凌和施耐德電氣還就產(chǎn)能預(yù)留達(dá)成一致。
英飛凌預(yù)計(jì)，對于制造的投入將支持該公司在2030年前實(shí)現(xiàn)約30%的SiC市場份額目標(biāo)。
SiC與IGBT相比具有非常多的優(yōu)勢，比如SiC開關(guān)損失要比IGBT低得多。只不過，成本問題在一定程度上制約了SiC的推廣普及，但隨著8英寸逐步量產(chǎn)，成本問題會得到較好的緩解。正在向8英寸快速轉(zhuǎn)換的英飛凌，有望憑借降本增效占據(jù)更多市場份額。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。