1月15日，杭州飛仕得科技股份有限公司（下文簡稱“飛仕得”）官微發(fā)文稱，公司的SiC器件智能動態(tài)測試裝備成功入選并被認定為浙江省首臺（套）裝備。
據(jù)介紹，SiC器件智能動態(tài)測試設備是飛仕得總結(jié)10多年SiC MOSFET/IGBT應用經(jīng)驗開發(fā)的功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，并經(jīng)歷了ME100D，ME200D，ME300D三代產(chǎn)品迭代，該測試電壓最高可達6000V，電流10000A，寄生電感＜10nH。
目前，該系列設備已在國家電網(wǎng)、上汽、一汽、比亞迪、吉利、蔚來、匯川技術、寧德時代、長城、英飛凌、三菱電機、中車半導體、士蘭微電子、上海航天、特變電工、浙江大學、復旦大學等企業(yè)、高校、科研單位得到應用，并獲得客戶好評。
據(jù)飛仕得官網(wǎng)資料顯示，公司圍繞IGBT、SiC MOSFET等功率半導體的應用，專業(yè)從事功率系統(tǒng)核心部件及功率半導體檢測設備研發(fā)和銷售。
除了上述裝備，其有關SiC MOSFET的檢測設備還有新型功率器件產(chǎn)線動靜態(tài)ATE測試設備和實驗室動態(tài)特性測試設備。
來源：飛仕得、集邦化合物半導體整理
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