4月22日，上杭縣融媒體中心發(fā)布消息稱，建設單位正搶抓施工黃金期科學統(tǒng)籌，穩(wěn)步推進福建晶旭半導體科技有限公司（下文簡稱“晶旭半導體”）二期項目建設。
source：上杭縣融媒體中心
據介紹，晶旭半導體二期項目總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線。
公開資料顯示，晶旭半導體致力于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片的研發(fā)生產和服務，具備氧化鎵半導體外延裝備、工藝及芯片自主開發(fā)的能力。公司擁有多項化合物單晶薄膜材料核心專利，特別在5G核心器件：射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術上，產品主要應用于5G移動設備、網絡基礎設施、WIFI和GF市場等領域。
晶旭半導體二期項目負責人章加奇表示：“現在整個項目進度，所有的地下工程，樁基工程跟測試已經完成，那研發(fā)大樓總共是七層，現在已經做到第五層，正往第六層建起，我們一號樓的生產廠房，現在已經在做一層樓面制作，動力中心CUB，已經做好地梁，準備建第一層，食堂宿舍跟其他的倉庫類，也是正在做承臺地梁階段，預計在四月底，五月初所有的主體樓都可以做封頂工作。”
章加奇指出，現在主要還是在土建施工階段，預計六月份會進行機電工程安裝項目的一個進場。（
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