據(jù)電科裝備微信公眾號消息，近日，電科裝備北京爍科中科信舉行了國產(chǎn)離子注入機(jī)批產(chǎn)中心啟動儀式。
source：電科裝備
據(jù)介紹，批產(chǎn)中心建筑面積達(dá)7581平方米，設(shè)有40個模組集成工位和11個調(diào)試工位，以及模塊裝配、運(yùn)動檢測和物料中轉(zhuǎn)等多個獨(dú)立空間，可滿足各類精密制造與高效組裝需求，確保產(chǎn)品質(zhì)量與交付速度雙重提升。
按照離子注入機(jī)生產(chǎn)周期衡量，該中心具備年產(chǎn)100臺套的生產(chǎn)、調(diào)試能力，整合長沙子公司產(chǎn)能，綜合交付能力提升至150臺。電科裝備表示，國產(chǎn)離子注入機(jī)的批量生產(chǎn)能力直接影響我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控水平。
此次批產(chǎn)中心的啟用將大幅提升國產(chǎn)離子注入機(jī)的市場供應(yīng)能力，確保我國電子信息產(chǎn)業(yè)鏈安全和供應(yīng)鏈穩(wěn)定。值得一提的是，除了離子注入機(jī)，中電科近期還在碳化硅立式氧化爐方面取得了新進(jìn)展。2025年1月9日，中國電科48所宣布其立式氧化爐完成批量交付。
據(jù)介紹，立式氧化爐是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成電路制造關(guān)鍵工藝設(shè)備，主要用于高溫氧化及退火工藝。據(jù)悉，氧化退火對于碳化硅功率器件制造至關(guān)重要。
氧化退火處理能夠優(yōu)化碳化硅表面的氧化層結(jié)構(gòu)，形成均勻、高質(zhì)量的SiO柵氧化層。這有助于提升器件的擊穿電壓、降低漏電流和噪聲，從而提高器件的性能和可靠性。
通過氧化退火，可以填補(bǔ)晶格缺陷，降低殘余應(yīng)力，提高氧化物和晶體的結(jié)合質(zhì)量，改善電學(xué)性能?，這對于提高碳化硅功率器件的整體性能和穩(wěn)定性具有重要意義。
在高溫下，碳化硅晶體中的原子會發(fā)生移動，減少晶格缺陷，從而提高其熱穩(wěn)定性和熱傳導(dǎo)性能。氧化退火還能減少氧化物含量，進(jìn)一步增強(qiáng)其耐熱性能。集邦化合物半導(dǎo)體整理
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