碳化硅作為第三代半導體材料的核心代表，正以其耐高壓、高頻、高效等特性重塑全球功率半導體產業(yè)發(fā)展格局，吸引各國爭相投入研發(fā)。中國碳化硅技術研發(fā)進展順利，近期，兩項碳化硅技術迎來新突破。
1、連科半導體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達到國際領先水平
“連城數(shù)控”官微消息，近期，中國有色金屬工業(yè)協(xié)會在無錫組織召開科技成果評價會。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團周旗鋼教授以及來自東南大學，南京航空航天大學，浙大科創(chuàng)中心等的五位專家組成的專家組，對由連科半導體有限公司等單位完成的兩項科技成果進行了評價。
專家組一致認為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術” 項目，聯(lián)合了浙江大學等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場結構，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開發(fā)了高精度控制軟件，實現(xiàn)了對氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長，技術難度大、復雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應用后，經濟、社會效益顯著，助力客戶生長8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達到5cm以上。項目整體技術達到國際領先水平。
source：連城數(shù)控
“200mm 區(qū)熔硅單晶爐成套技術”項目，獨創(chuàng)了下主軸與密封內襯分別由伺服電機驅動并同步耦合控制的技術，及第二相機測量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問題。形成了關鍵技術-樣機示范-產業(yè)化應用的全鏈條技術體系。技術難度大、復雜程度高。項目技術已在有研半導體硅材料股份公司成功投產并穩(wěn)定運行，技術重現(xiàn)性好、成熟度高。項目整體技術達到國際領先水平。
2、 “增材制造復雜結構高性能碳化硅基復合材料及其部件”榮獲2025年日內瓦國際發(fā)明展金獎
“武漢理工大學材料學院”官微消息，近期，第50屆日內瓦國際發(fā)明展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）在瑞士日內瓦舉行，武漢理工大學材料科學與工程學院副院長劉凱教授攜項目“增材制造復雜結構高性能碳化硅陶瓷基復合材料及其部件”參展并榮獲金獎。
source：武漢理工大學材料學院
據(jù)悉， 上述項目面向極端服役環(huán)境對高性能碳化硅陶瓷材料復雜構件的制造需求，開展了材料-結構-性能一體化增材制造研究。建立了高增材適應性碳化硅復合粉末設計制備與激光增材制造工藝方法，研制了纖維增強碳化硅復合材料復雜構件的增材制造技術與裝備，推動了增材制造碳化硅陶瓷構件在航空航天、能源化工、半導體裝備等領域的工程應用。
項目相關成果已獲得多項國家發(fā)明專利授權，并在Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上發(fā)表系列論文。
3、結語
在“雙碳”目標與智能制造升級的雙重需求下，碳化硅正深度賦能新能源汽車、光伏儲能、5G通信等領域，推動能源效率革命。上述碳化硅技術突破表明我國在半導體材料自主可控方面不斷努力并取得了新成就，隨著技術迭代與產業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，未來中國以碳化硅為代表的第三代半導體有望邁上新臺階。（集邦化合物半導體 秦妍 整理）