兩家日本半導(dǎo)體公司發(fā)布碳化硅新品

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:54 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

近期,#日本羅姆株式會社?與#三菱電機(jī)株式會社?相繼推出基于碳化硅(SiC)材料的新型功率半導(dǎo)體模塊,分別聚焦電動汽車與家用電器領(lǐng)域。作為第三代半導(dǎo)體技術(shù)的代表,碳化硅憑借耐高壓、低損耗等特性,正持續(xù)拓展其在新能源與消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用邊界。

羅姆開發(fā)新型碳化硅半導(dǎo)體

日本半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社最新公布了其面向電動汽車(EV)生態(tài)體系研發(fā)的新一代功率半導(dǎo)體器件。

source:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

該產(chǎn)品采用第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)技術(shù),通過創(chuàng)新型電路架構(gòu)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了相較傳統(tǒng)同類產(chǎn)品50%的能效躍升,為純電動車型帶來充電速度與續(xù)航能力的雙重突破。

羅姆研發(fā)團(tuán)隊(duì)在此產(chǎn)品上將之前銷售的功率半導(dǎo)體以4~6個一組組合為模塊,以便應(yīng)對車載充電器輸出功率為22千瓦級的大型純電動汽車。并計(jì)劃推出耐壓程度等不同的13種模塊,全面覆蓋不同類型純電動車需求。

與單獨(dú)使用半導(dǎo)體時相比,該產(chǎn)品合計(jì)安裝面積可減少50%,不僅可以實(shí)現(xiàn)輕量化,還有助于延長純電動汽車的續(xù)航里程,同時提高電池的使用效率。

在應(yīng)用場景方面,羅姆此次開發(fā)的新型半導(dǎo)體不僅可用于純電動汽車的車載充電器,還可應(yīng)用于充電站。

在生產(chǎn)上,羅姆此次采用跨國制造方式,福岡縣和宮崎縣的工廠將會完成在基板上形成電路的前工序,其泰國工廠將會進(jìn)行零件組裝的后工序。
此外,對于該新型功率半導(dǎo)體,羅姆計(jì)劃當(dāng)前力爭月產(chǎn)10萬個,并將年銷售額目標(biāo)定為100億日元。

三菱電機(jī)推出全碳化硅和混合碳化硅IPM模塊SLIMDIP

4月22日,日本三菱電機(jī)株式會社開始提供用于室內(nèi)空調(diào)和其它家用電器的兩款新型SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊的樣品:全碳化硅型號PSF15SG1G6與混合碳化硅型號PSH15SG1G6。并計(jì)劃于5月6日至8日在德國紐倫堡舉行的2025年P(guān)CIM博覽會和會議上展出,同時也將在日本、中國和其它國家舉辦貿(mào)易展覽。

source:三菱電機(jī)半導(dǎo)體

這兩款模塊作為三菱電機(jī)SLIMDIP系列緊湊型端子優(yōu)化模塊中的第一款 SiC版本,具有出色的輸出和功率損耗降低優(yōu)勢,可以在小容量到大容量電器中實(shí)現(xiàn)節(jié)能。

三菱電機(jī)新開發(fā)的SiC MOSFET芯片被集成到兩種新的SLIMDIP封裝中,通過優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高輸出與低功耗。與硅基組件相比,全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%,混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%,可適用于各類容量家電節(jié)能場景。

三菱電機(jī)在碳化硅領(lǐng)域積累深厚:2010年首次將SiC功率模塊應(yīng)用于空調(diào);2011年開發(fā)的1200A/1700V混合SiC模塊已用于地鐵逆變系統(tǒng);2013年實(shí)現(xiàn)3.3kV全SiC模塊商業(yè)化;2016年推出搭載SiC-MOSFET的超小型DIPIPM模塊。此次新品進(jìn)一步豐富了SLIMDIP系列的技術(shù)矩陣,為家電能效升級提供更多選擇。(集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理)

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