文章分類： 企業(yè)

穩(wěn)懋半導(dǎo)體推出全新RF GaN技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 17 日 15:15 |
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6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。 據(jù)介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，...  [詳內(nèi)文]

比亞迪新建碳化硅工廠預(yù)計(jì)今年下半年投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 17 日 15:12 |
| 分類: 企業(yè)
近日，比亞迪品牌及公關(guān)處總經(jīng)理李云飛在中國(guó)汽車重慶論壇上表示，比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業(yè)最大的工廠，該工廠將于今年下半年投產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)模是全球第一，是第二名的10倍。 據(jù)了解，今年下半年起，比亞迪20萬(wàn)左右的車型也將搭載應(yīng)用碳化硅的智能化方案，從而實(shí)現(xiàn)智能駕駛等更大范圍的搭載應(yīng)...  [詳內(nèi)文]

英飛凌8英寸SiC晶圓廠一期工程完工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 14 日 17:59 |
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據(jù)外媒報(bào)道，近日，英飛凌完成了位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅（SiC）晶圓廠第一階段建設(shè)。 source：英飛凌 英飛凌計(jì)劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠區(qū)，并于2024年底開始生產(chǎn)SiC。據(jù)了解，該晶圓廠總投資為70億歐元，其也是馬來西亞政府1000億美元計(jì)劃的核心...  [詳內(nèi)文]

國(guó)創(chuàng)中心與長(zhǎng)城汽車成立車規(guī)級(jí)芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 14 日 17:58 | | 分類: 企業(yè)
近日，國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）與長(zhǎng)城汽車股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)城汽車”）共同揭牌成立“車規(guī)級(jí)芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，又一車規(guī)級(jí)芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室落地北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（北京亦莊）。 “此次聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立，是國(guó)創(chuàng)中心與長(zhǎng)城汽車在車規(guī)級(jí)芯片領(lǐng)域深化合作的重要標(biāo)志...  [詳內(nèi)文]

計(jì)劃7倍擴(kuò)產(chǎn)，英諾賽科開啟港股IPO

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 13 日 19:14 |
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6月12日晚間，英諾賽科向港交所遞交上市申請(qǐng)，聯(lián)席保薦人為中金公司、招銀國(guó)際。 2023年?duì)I收增長(zhǎng)335.2% 自2019年10月，OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術(shù)應(yīng)用于充電器以來，基于氮化鎵材料而研制的功率器件，憑借更高的電流密度、遷移率以及優(yōu)秀的耐熱性、導(dǎo)電性和散熱...  [詳內(nèi)文]

SiC功率模塊廠商悉智科技完成近億元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 13 日 18:00 |
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近日，車規(guī)級(jí)功率與電源模塊廠商蘇州悉智科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱悉智科技）完成近億元天使++輪融資，投資方為上汽集團(tuán)旗下私募股權(quán)投資平臺(tái)尚頎資本和高瓴創(chuàng)投，融資資金將主要用于產(chǎn)品、技術(shù)開發(fā)和市場(chǎng)推廣。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 作為一家車規(guī)級(jí)功率與電源模塊廠商，悉智科技于2022年...  [詳內(nèi)文]

匯成真空與武漢理工共同開發(fā)SiC晶圓外延單片機(jī)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 13 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
6月11日，廣東匯成真空科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱匯成真空）在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，其與武漢理工大學(xué)簽訂了《碳化硅晶圓外延單片機(jī)熱、流場(chǎng)設(shè)計(jì)的技術(shù)開發(fā)合同書》，合作內(nèi)容為雙方共同參與SiC晶圓外延單片機(jī)系統(tǒng)中真空系統(tǒng)、溫場(chǎng)、氣路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 官網(wǎng)資料顯示...  [詳內(nèi)文]

優(yōu)睿譜半導(dǎo)體交付SiC晶圓檢測(cè)設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 13 日 11:27 | | 分類: 企業(yè)
近日，上海優(yōu)睿譜半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（下文簡(jiǎn)稱“優(yōu)睿譜”）成功交付客戶一款晶圓邊緣檢測(cè)設(shè)備SICE200，設(shè)備可用于硅基以及化合物半導(dǎo)體襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測(cè)。 source：優(yōu)睿譜 據(jù)介紹，優(yōu)睿譜本次推出的SICE200設(shè)備可兼容6&8英寸碳化硅&硅襯底和...  [詳內(nèi)文]

優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備通過技術(shù)鑒定

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 11 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
今年4月，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱優(yōu)晶科技）最新出口至某國(guó)際知名客戶的大尺寸電阻法長(zhǎng)晶設(shè)備已順利通過驗(yàn)收，標(biāo)志著優(yōu)晶科技國(guó)際業(yè)務(wù)取得突破。據(jù)悉，此次出口的SiC電阻法長(zhǎng)晶設(shè)備，是優(yōu)晶科技根據(jù)市場(chǎng)需求研發(fā)的第四代產(chǎn)品，設(shè)備的穩(wěn)定性、可靠性、工藝水準(zhǔn)均有提升。 而在近...  [詳內(nèi)文]

印度或?qū)⑿陆ǘ嘧鵖iC晶圓廠？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 11 日 17:55 |
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此前，印度軟件公司Zoho Corp. Pvt. Ltd.（“Zoho”）已與技術(shù)合作伙伴一起向印度政府提交了一份提案，將投資約7億美元用于制造化合物半導(dǎo)體，合作伙伴身份尚未透露。近日，Clas-SiC Wafer Fab Ltd.（下文簡(jiǎn)稱Clas-SiC）在新聞報(bào)道中被指出與...  [詳內(nèi)文]