6月14日，純化合物半導體代工廠穩(wěn)懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺。
據(jù)介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項改進，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0B集成了多項晶體管改進，在深度飽和/高壓縮脈沖和連續(xù)波條件下運行時具備高耐用性。
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這種新的耐用技術(shù)通過消除在GaN HEMT功率放大器中觀察到的脈沖下降現(xiàn)象，從而提高了脈沖模式雷達系統(tǒng)的范圍和靈敏度。此外，NP12-0B還提供增強型防潮性選項，在塑料封裝中使用時具有出色的耐濕性。
NP12-0B平臺支持全MMIC，允許客戶開發(fā)適用于50GHz以下應用的緊湊型脈沖或CW飽和功率放大器。該工藝適用于28V工作電壓，在29GHz頻段可產(chǎn)生4.5 W/mm的飽和輸出功率，線性增益為12 dB，功率附加效率超過40%。NP12-0B技術(shù)非常適合用于先進雷達系統(tǒng)的堅固型脈沖模式高功率放大器。
NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。（集邦化合物半導體Morty編譯）
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