文章分類： 企業(yè)

飛仕得SiC測試設(shè)備成功認定浙江省首臺（套）裝備

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 16 日 17:50 |
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1月15日，杭州飛仕得科技股份有限公司（下文簡稱“飛仕得”）官微發(fā)文稱，公司的SiC器件智能動態(tài)測試裝備成功入選并被認定為浙江省首臺（套）裝備。 據(jù)介紹，SiC器件智能動態(tài)測試設(shè)備是飛仕得總結(jié)10多年SiC MOSFET/IGBT應用經(jīng)驗開發(fā)的功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，并經(jīng)歷了...  [詳內(nèi)文]

新增訂單約83.6億，中微公司2023年凈利預增超45%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 16 日 17:24 |
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1月14日，中微公司發(fā)布2023年年度業(yè)績預告稱，公司預計2023年營業(yè)收入約62.6億元，較2022年增加約15.2億元，同比增長約32.1%。其中，2023 年刻蝕設(shè)備銷售約 47.0 億元，同比增長約 49.4%；MOCVD 設(shè)備銷售約 4.6 億元，同比下降約 34.0%...  [詳內(nèi)文]

宏微科技公開SiC功率MOSFET器件專利

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 15 日 18:05 |
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天眼查資料顯示，1月12日，宏微科技公開一項“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利，申請公布號為CN117393605A，申請日期為2023年11月7日。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率...  [詳內(nèi)文]

投資近20億，日本晶圓設(shè)備制造商Disco將建新工廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 15 日 18:00 |
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1月15日消息，日本晶圓設(shè)備制造商Disco將在日本廣島縣建設(shè)一家工廠，生產(chǎn)用于加工晶圓的一種組件。Disco預計投資超過400億日元（約合19.78億人民幣），計劃最早于2025年開始建設(shè)。新工廠將生產(chǎn)用于切割、研磨和拋光過程的切割輪，到2035年，該公司的產(chǎn)能將提高14倍。 ...  [詳內(nèi)文]

芯片材料廠Resonac欲收購光刻膠巨頭股份

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 15 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
日本芯片材料廠商Resonac的首席執(zhí)行官Hidehito Takahashi正在為日本分散的芯片材料行業(yè)的另一輪整合做準備，并表示公司可能會出手收購JSR的關(guān)鍵股份。 Hidehito Takahashi表示，JIC（日本投資公司）斥60億美元收購全球最大光刻膠制造商JSR，這...  [詳內(nèi)文]

日本DISCO推出新型SiC切割設(shè)備，速度提高10倍

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 17:06 |
| 分類: 企業(yè)
日本晶圓設(shè)備制造商DISCO于2023年12月推出新型碳化硅（SiC）切割設(shè)備DDS2020，支持切割8英寸SiC材料，可將SiC晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。 source：DISCO 據(jù)介紹，SiC材質(zhì)偏硬加工難度較大，DDS2020晶圓切割設(shè)備采用了新的斷...  [詳內(nèi)文]

Transphorm為何會被瑞薩電子選中？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 17:04 |
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1月11日，瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達成最終收購協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元（約24.27億人民幣）。 source：瑞薩電子 瑞薩電子表...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓已與客戶簽合作長約，持續(xù)強化SiC布局

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 16:20 |
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環(huán)球晶圓今年持續(xù)強化在化合物半導體的布局，預估今年碳化硅（SiC）產(chǎn)能翻倍。隨著6吋碳化硅襯底產(chǎn)能的提升，再加上電動車的需求相比之前稍有緩解，今年SiC襯底價格會面臨下滑的壓力。展望未來，環(huán)球晶圓本身制造上的良率提高，成本也隨之下降，對毛利率的影響不大，加上環(huán)球晶圓已與一線大廠簽...  [詳內(nèi)文]

英飛凌再添一家SiC材料供應商

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 11 日 15:07 |
| 分類: 企業(yè)
全球半導體巨頭英飛凌，近日再次擴大其碳化硅（SiC）供應商朋友圈。 1月9日，英飛凌與SiC晶圓供應商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK Siltron CSS將向英飛凌提供6英寸SiC晶圓，用于SiC半導體的生產(chǎn)。...  [詳內(nèi)文]

連城數(shù)控擬投10.5億，建設(shè)第三代半導體設(shè)備項目

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 11 日 14:41 |
| 分類: 企業(yè)
1月10日，連城數(shù)控發(fā)布公告稱，公司及下屬全資子公司連科半導體有限公司（以下簡稱：連科半導體）擬與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)政府簽署《錫山區(qū)工業(yè)項目投資協(xié)議書》，投建第三代半導體設(shè)備研發(fā)制造項目。 根據(jù)協(xié)議，連城數(shù)控指定連科半導體作為投資主體，計劃投資總額不超過10.50億，在無錫市投資...  [詳內(nèi)文]