文章分類： 企業(yè)

聚焦SiC單晶襯底，世紀(jì)金芯和湖南S公司達(dá)成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:42 |
| 分類: 企業(yè)
近日，合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱世紀(jì)金芯）與湖南S公司正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方將圍繞碳化硅（SiC）單晶襯底在業(yè)務(wù)和技術(shù)方面推行戰(zhàn)略合作，年合作不低于5萬(wàn)片，交易金額超過(guò)2億元。 資料顯示，世紀(jì)金芯成立于2019年12月，致力于第三代半導(dǎo)體SiC功能材料研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電：SiC生長(zhǎng)設(shè)備自研自用，外延設(shè)備外銷

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:43 | | 分類: 企業(yè)
12月19日，晶盛機(jī)電在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司碳化硅（SiC）生長(zhǎng)設(shè)備為自研自用，對(duì)外銷售SiC外延設(shè)備。SiC襯底及外延片利潤(rùn)情況受其市場(chǎng)價(jià)格、綜合成本等因素影響，隨著公司長(zhǎng)晶及加工技術(shù)、成本控制的不斷優(yōu)化，預(yù)期未來(lái)利潤(rùn)將因此受益。 source:晶盛機(jī)電 在SiC設(shè)備方面...  [詳內(nèi)文]

通用智能交付8英寸SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:45 |
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12月16日，河南通用智能裝備有限公司（以下簡(jiǎn)稱通用智能）自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產(chǎn)線正式交付客戶。 據(jù)通用智能介紹，由于SiC高硬度、高脆性特點(diǎn)，在SiC器件制造領(lǐng)域存在一個(gè)難點(diǎn)——晶錠分割工藝過(guò)程。目前，SiC晶錠主要通過(guò)砂漿線/金剛石線切割，效率低且損耗高。...  [詳內(nèi)文]

PI、南瑞半導(dǎo)體透露SiC MOS項(xiàng)目新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 14 日 17:46 |
| 分類: 企業(yè)
因搭載高壓平臺(tái)的電動(dòng)汽車在補(bǔ)能、續(xù)航等方面的表現(xiàn)出色，可以大幅提高客戶的使用體驗(yàn)，大有成為主流之勢(shì)。而SiC MOSFET在高壓車載領(lǐng)域的良好表現(xiàn)，受到市場(chǎng)的追捧，新規(guī)格SiC MOSFET和其衍生品也在不斷出新。就SiC MOSFET領(lǐng)域來(lái)看，又有兩家企業(yè)有了新動(dòng)態(tài)。 Powe...  [詳內(nèi)文]

SiC材料廠超芯星、東映碳材完成新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 14 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
近日，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)資本市場(chǎng)風(fēng)云再起，SiC襯底供應(yīng)商江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱超芯星）和SiC原材料廠商湖南東映碳材料科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱東映碳材）分別完成數(shù)億元新一輪融資。 超芯星完成數(shù)億元C輪融資 今日（12月14日），超芯星宣布完成數(shù)億元C輪融資，本輪...  [詳內(nèi)文]

中電材料子公司第一枚SiC外延片正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 14 日 17:45 |
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12月13日，中電科半導(dǎo)體材料有限公司（下文簡(jiǎn)稱“中電材料”）官微發(fā)文稱，近日，中電材料下屬國(guó)盛電子大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目第一枚碳化硅（SiC）外延產(chǎn)品誕生，標(biāo)志著中電材料SiC產(chǎn)業(yè)化建設(shè)迎來(lái)了新階段。 國(guó)盛電子表示，首枚SiC外延產(chǎn)品誕生，預(yù)示著后續(xù)新品全尺寸檢測(cè)評(píng)估，向客...  [詳內(nèi)文]

科友半導(dǎo)體8英寸SiC襯底項(xiàng)目通過(guò)中期驗(yàn)收

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 13 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
12月10日上午，科友半導(dǎo)體承擔(dān)的“8英寸碳化硅（SiC）襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項(xiàng)目階段驗(yàn)收評(píng)審會(huì)在哈爾濱市松北區(qū)召開(kāi)。評(píng)審專家組認(rèn)為，科友半導(dǎo)體圓滿完成了計(jì)劃任務(wù)書(shū)2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸SiC單晶生長(zhǎng)的新技術(shù)和新工藝，建立了SiC襯底生產(chǎn)的工藝流程，...  [詳內(nèi)文]

晶圓代工廠BAE Systems獲得3500萬(wàn)美元資助

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 13 日 17:42 |
| 分類: 企業(yè)
12月11日，美國(guó)商務(wù)部宣布為BAE Systems提供約3500萬(wàn)美元（折合人民幣約2.5億元）的初始資金，用于對(duì)新罕布什爾州納舒厄的微電子中心 (MEC) 進(jìn)行現(xiàn)代化改造。 MEC是一家占地110000平方英尺、經(jīng)美國(guó)防部 (DoD) 認(rèn)證的芯片制造工廠，是美國(guó)境內(nèi)唯一以國(guó)防...  [詳內(nèi)文]

英特爾展示GaN新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 13 日 17:41 |
| 分類: 企業(yè)
在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。 具有集成驅(qū)動(dòng)器的 GaN 器件由 Cambridge GaN Devices、EPC 和 Navitas 以及英飛凌領(lǐng)導(dǎo)的歐洲重大研究項(xiàng)目開(kāi)發(fā)。 Comp...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成、中瓷電子SiC MOSFET取得新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 12 日 17:46 |
| 分類: 企業(yè)
由于SiC MOSFET相對(duì)于傳統(tǒng)的Si MOSFET有很多優(yōu)勢(shì)，因此被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、光儲(chǔ)充、軌道交通等領(lǐng)域，發(fā)展?jié)摿^大，各大半導(dǎo)體廠商正在發(fā)力SiC MOSFET相關(guān)業(yè)務(wù)。近日，又有兩家企業(yè)SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品獲得新進(jìn)展。 芯聯(lián)集成車規(guī)級(jí)SiC MOSFET已量...  [詳內(nèi)文]