3月20日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院、硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室,采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。
6英寸非故意摻雜(上)與導(dǎo)電型(下)氧化鎵單晶(source:鎵仁半導(dǎo)體)
鎵仁半導(dǎo)體表示,基于上述成果,其也成為了國內(nèi)首個掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。
據(jù)介紹,鎵仁半導(dǎo)體是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。
鎵仁半導(dǎo)體指出,此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法,具有以下顯著優(yōu)勢:第一,鑄造法成本低,由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少,成本顯著降低;第二,鑄造法簡單可控,其工藝流程短、效率高、尺寸易放大;第三,鑄造法擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán),中國和美國專利已授權(quán),為突破國外技術(shù)壟斷,實現(xiàn)國產(chǎn)化替代奠定堅實基礎(chǔ)。
公開資料顯示,氧化鎵是一種超寬禁帶材料,超越了目前已經(jīng)商用器件的禁帶寬度,達到了4.2電子伏特以上,也有人稱之為第四代半導(dǎo)體材料。相比于以碳化硅,氧化鎵的制造成本較低。
就氧化鎵襯底方面來看,日本的NCT目前占據(jù)領(lǐng)先地位。但隨著國內(nèi)企業(yè)制備氧化鎵襯底的技術(shù)升級和產(chǎn)能提升,總體呈現(xiàn)追趕態(tài)勢,后續(xù)有望獲取更多氧化鎵市場。
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