文章分類： 企業(yè)

中瓷電子：博威第三代半導體功率器件產(chǎn)業(yè)化項目建成投用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 28 日 17:45 |
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11月27日，中瓷電子在投資者互動平臺表示，公司子公司博威集成電路擴建工程第三代半導體功率器件產(chǎn)業(yè)化項目已建成并投入使用，項目主要產(chǎn)品為氮化鎵（GaN）通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品，產(chǎn)能規(guī)劃為600萬只/年。 中瓷電子稱，博威公司主營業(yè)務為氮化鎵通信射頻集成電路產(chǎn)品的設計、封裝、...  [詳內文]

2億，中企在俄羅斯投資SiC項目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 28 日 17:36 |
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11月23日，據(jù)塔斯社報道，俄羅斯RusKlimat貿易和生產(chǎn)控股集團新聞處發(fā)布消息稱，一家中國公司計劃投資25億盧布（約合人民幣2億元）在俄羅斯弗拉基米爾州啟動第三代功率半導體的批量生產(chǎn)，該項目最早將于2024年開始，分兩個階段實施。 消息指出，該項目計劃使用碳化硅（SiC）技...  [詳內文]

英飛凌、巨子半導體推出1200V MOSFET新品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 28 日 14:40 | | 分類: 企業(yè)
英飛凌擴展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列 近日，英飛凌宣布采用新的行業(yè)標準封裝，以擴展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列。 該款經(jīng)過驗證的62mm器件采用半橋拓撲設計，并基于最近推出的先進M1H碳化硅（SiC）M...  [詳內文]

驗收、發(fā)布，瑤光半導體、優(yōu)睿譜項目有新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 27 日 17:50 | | 分類: 企業(yè)
瑤光半導體激光退火設備順利驗收 據(jù)瑤光半導體官微消息，近日，瑤光半導體激光退火設備順利通過驗收。 該設備已在客戶新產(chǎn)線投入生產(chǎn)使用，該產(chǎn)線計劃年產(chǎn)一億顆功率芯片和1萬片6英寸SiC外延片，同時包括“10萬片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成電路”。 據(jù)官微介紹，瑤光半導體...  [詳內文]

越峰電子SiC粉末出貨量倍速成長，預計明年產(chǎn)能翻倍

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 24 日 18:15 |
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11月22日，越峰電子材料股份有限公司（下文簡稱“越峰”）召開法說會，總經(jīng)理吳文豪表示，目前碳化硅(SiC)?粉末規(guī)模持續(xù)提升，前三季營收比重達12.3%，在全產(chǎn)全銷的情況下，公司也將持續(xù)擴產(chǎn)，預計明年產(chǎn)能將較今年倍增。 據(jù)了解，越峰主要從事錳鋅及鎳鋅軟性鐵氧磁粉、磁鐵芯的制造與...  [詳內文]

以終端之變觀第三代半導體商機，TrendForce 2024光儲產(chǎn)業(yè)論壇來襲

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 24 日 15:13 |
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全球零碳趨勢帶動光伏、儲能市場進入蓬勃發(fā)展期，同時積極影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。功率半導體作為光伏逆變器、儲能變流器的核心零組件，對電能起到了關鍵的整流、逆變等作用，以實現(xiàn)新能源發(fā)電的交流并網(wǎng)、儲能電池的充放電等功能。 近年來，隨著光儲充一體化方案持續(xù)升溫，對電能轉換效率提出了更...  [詳內文]

士蘭微定增49.6億元，擬用于SiC功率器件生產(chǎn)線等項目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 23 日 18:55 |
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11月22日晚間，士蘭微發(fā)布的《向特定對象發(fā)行A股股票發(fā)行情況報告書》（以下簡稱報告書）顯示，公司本次完成發(fā)行2.48億股公司股份，發(fā)行價格為20元/股，募集資金總額為49.6億元，募集資金凈額約49.13億元。 報告書顯示，士蘭微本次定增發(fā)行對象為14名，其中包括國家集成電路產(chǎn)...  [詳內文]

近5億元，半導體設備廠商陛通半導體完成新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 23 日 17:36 |
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近日，國產(chǎn)半導體薄膜沉積設備研發(fā)制造企業(yè)上海陛通半導體能源科技股份有限公司完成近5億元新一輪融資，投資方包括君桐資本、金浦創(chuàng)新、上?？苿?chuàng)集團、浙江發(fā)展資產(chǎn)、賽富管理、三元資本、力合資本、長江國弘等。本輪融資后，陛通半導體將持續(xù)加大技術和產(chǎn)品研發(fā)投入，推出更多國產(chǎn)高端薄膜沉積設備品...  [詳內文]

飛锃半導體SiC MOSFET獲AEC-Q101車規(guī)認證

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 23 日 17:35 | | 分類: 企業(yè)
近日，飛锃半導體自主研發(fā)的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ車規(guī)級SiC MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證，并且通過了960V高壓H3TRB加嚴測試,使得飛锃半導體成為國內少數(shù)SiC功率分立器件產(chǎn)品通過雙重考核的廠商之一。 ...  [詳內文]

日本Resonac擬在美國硅谷設立半導體封裝及材料研發(fā)中心

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 23 日 15:30 |
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11月22日，日本芯片材料制造商Resonac宣布，將在美國硅谷設立一個先進半導體封裝和材料研發(fā)中心。Resonac已開始就新研發(fā)中心開展設備引進等工作，計劃在無塵室和設備準備就緒后于2025年開始運營。 同日Resonac宣布作為日本首家戰(zhàn)略材料制造合作伙伴加入位于美國得克薩斯...  [詳內文]