11月22日，日本芯片材料制造商Resonac宣布，將在美國硅谷設立一個先進半導體封裝和材料研發(fā)中心。Resonac已開始就新研發(fā)中心開展設備引進等工作，計劃在無塵室和設備準備就緒后于2025年開始運營。
同日Resonac宣布作為日本首家戰(zhàn)略材料制造合作伙伴加入位于美國得克薩斯州的半導體相關制造商聯(lián)盟“得克薩斯電子研究所”（TIE），后者的成員還包括AMD、美光科技、英特爾、應用材料等公司。
資料顯示，Resonac前身為昭和電工（Showa Denko），是一家先進的薄膜等封裝材料制造商。
作為一家先進半導體材料廠商，發(fā)力以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料是其必由之路?，F(xiàn)實也確實如此，Resonac正聚焦SiC材料。
事實上，Resonac早在2010年就開始研發(fā)SiC外延技術，并在2015年推出第一代SiC外延技術，隨后在2019年推出每平方厘米SiC外延膜缺陷低于0.1個的第二代SiC外延技術。在這近十年時間內，Resonac深耕技術研發(fā)，積蓄力量，等待爆發(fā)。
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近年來，Resonac加快了研發(fā)腳步，也迎來了收獲時刻。從2022年3月以6英寸線進行第二代SiC外延片量產(chǎn)出貨，到Resonac從2022年9月起提供8英寸SiC外延片樣品，再到2023年3月開始提供第三代SiC外延片樣品，Resonac都是在短短半年時間實現(xiàn)了技術迭代升級，進展迅速。
值得一提的是，Resonac的SiC材料業(yè)務，只提供襯底與外延產(chǎn)品，最終零件由客戶制造，因此Resonac和英飛凌、羅姆等半導體巨頭更多的是協(xié)同而非競爭關系，攜手合作順理成章。
今年初，英飛凌擴大與Resonac公司的合作。根據(jù)新協(xié)議，Resonac將為英飛凌提供用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料，預計占其未來十年需求量的兩位數(shù)份額。作為合作的一部分，英飛凌將向Resonac提供與SiC材料技術相關的知識產(chǎn)權，這在一定程度上有助于Resonac提升SiC外延片技術和產(chǎn)品質量。
或許是受供貨需求的刺激，Resonac推出了規(guī)模龐大的擴產(chǎn)計劃。Resonac將使SiC外延片的產(chǎn)量在2026年之前增至月產(chǎn)5萬片（按直徑6英寸換算），增至今年初產(chǎn)能的約5倍，到2025年還將開始量產(chǎn)8英寸SiC襯底。
如果說Resonac之前的客戶大多集中在歐亞，那么此次在硅谷設立研發(fā)中心，則吹響了大規(guī)模進軍美國市場的號角。（集邦化合物半導體Zac整理）
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