4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產品已實現(xiàn)量產。
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公告介紹，該款產品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復電荷的核心優(yōu)勢，有助于進一步推動能源轉換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領域。
英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構及工業(yè)電源領域，有助于實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。
此外，英諾賽科表示該產品已經過驗證，已在中大功率電源方面實現(xiàn)量產，下一步將被應用在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等領域。
英諾賽科指出，氮化鎵技術對實現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關重要。
在不久前，英諾賽科與全球半導體巨頭意法半導體（STMicroelectronics）簽署氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議，雙方將共同推動該技術在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車及工業(yè)電源系統(tǒng)等領域的應用。（集邦化合物半導體整理）