文章分類(lèi)： 氮化鎵GaN

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN或?qū)⒂瓉?lái)神秘買(mǎi)家

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 08 日 17:27 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)報(bào)道，比利時(shí)氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體制造商BelGaN近期成為收購(gòu)目標(biāo)，一位歐洲競(jìng)標(biāo)者計(jì)劃投資2億~2.5億歐元，并計(jì)劃轉(zhuǎn)型光芯片生產(chǎn)。 據(jù)知情人士透露，這次的神秘買(mǎi)家與之前參與競(jìng)購(gòu)的瑞典-芬蘭財(cái)團(tuán)和比利時(shí)本土投資者不同，其提出了更具吸引力的報(bào)價(jià)。 BelGaN前身為1983年成...  [詳內(nèi)文]

元腦服務(wù)器全面導(dǎo)入氮化鎵GaN鈦金電源

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 08 日 17:18 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，元腦服務(wù)器宣布全面導(dǎo)入氮化鎵GaN鈦金電源，提供1300W/1600W/2000W多種規(guī)格選擇。 元腦服務(wù)器介紹，在數(shù)據(jù)中心復(fù)雜的能源架構(gòu)里，電源是將外部輸入電能精準(zhǔn)分配給各類(lèi)IT設(shè)備的核心環(huán)節(jié)。盡管HVDC高壓直流、固態(tài)變壓器（SST）等新型供電架構(gòu)已通過(guò)減少配電層級(jí)損耗...  [詳內(nèi)文]

珠海重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目清單出爐，涉及碳化硅、砷化鎵

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 08 日 17:00 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，珠海市發(fā)展改革局發(fā)布2025年重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃清單。在項(xiàng)目計(jì)劃清單中，近40個(gè)半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目上榜，涉及以下化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域： 1、珠海華芯微電子砷化鎵半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目 2023年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體，推動(dòng)華芯（珠海）半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶...  [詳內(nèi)文]

南京，發(fā)力第三代半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 03 日 18:16 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
在近期舉辦的第四屆中國(guó)（南京）新賽道大會(huì)上，《中國(guó)新賽道體系發(fā)展報(bào)告2025》發(fā)布，報(bào)告提出2025年“年度十大潛力新賽道”，分別是生成式AI、具身智能、商業(yè)航天、生物制造、第三代半導(dǎo)體、新型儲(chǔ)能、低空經(jīng)濟(jì)、量子科技、腦機(jī)接口與6G。 未來(lái)網(wǎng)絡(luò)、第三代半導(dǎo)體、創(chuàng)新藥研發(fā)為南京的“...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體重磅官宣與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 03 日 18:15 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月1日，意法半導(dǎo)體重磅宣布與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議，雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，提升氮化鎵功率解決方案的競(jìng)爭(zhēng)力和供應(yīng)鏈韌性。 source：意法半導(dǎo)體中國(guó) 技術(shù)方面，兩家廠商的合作致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車(chē)等領(lǐng)域打造面向未來(lái)的功率電子技術(shù)。...  [詳內(nèi)文]

又一筆GaN收購(gòu)，三墾電氣13億日元收購(gòu) POWDEC

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 03 日 18:12 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近年來(lái)，氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體技術(shù)因其高效率、高功率密度和耐高溫特性，在電力電子、射頻通信及新能源領(lǐng)域的重要性日益凸顯。氮化鎵領(lǐng)域的企業(yè)間的技術(shù)合作與戰(zhàn)略并購(gòu)也逐漸成為行業(yè)發(fā)展的新常態(tài)。 3月27日，日本三墾電氣株式會(huì)社（Sanken Electric）宣布，在董事會(huì)會(huì)議上決定以...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵大爆發(fā)，英諾賽科、羅姆披露最新動(dòng)態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 03 日 12:00 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入材料革命的新階段，第三代半導(dǎo)體重要性日益突出，其中，氮化鎵正成為冉冉升起的新星，應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)展，車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵隱隱有爆發(fā)的態(tài)勢(shì)，推動(dòng)英諾賽科等廠商業(yè)績(jī)上漲，也吸引相關(guān)廠商持續(xù)布局。 英諾賽科最新業(yè)績(jī)出爐，車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵交付量增長(zhǎng)986.7% 近日，氮化鎵龍頭企業(yè)英...  [詳內(nèi)文]

AI、機(jī)器人、氮化鎵等浪潮來(lái)襲，英飛凌四大新品亮劍

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 31 日 15:35 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開(kāi)了深度探討，其首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

新凱來(lái)、電科裝備、高測(cè)股份大動(dòng)作，瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體等發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 27 日 12:34 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
SEMICON China 2025正如火如荼在上海召開(kāi)，半導(dǎo)體設(shè)備參展廠商活躍，吸引觀眾駐足。值得一提的是，本次展會(huì)上，圍繞第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域，包括新凱來(lái)、電科裝備、高測(cè)股份等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商拿出了最新產(chǎn)品與方案。 1、新凱來(lái)展示多款半導(dǎo)體設(shè)備，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域！ ...  [詳內(nèi)文]

日本住友利用二英寸金剛石襯底制備出氮化鎵器件

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 27 日 12:02 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
日本住友電氣工業(yè)株式會(huì)社（Sumitomo Electric）近日宣布，其與大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破——成功在直徑兩英寸的多晶金剛石（PCD）基板上研制出高性能氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管。 該創(chuàng)新成果通過(guò)革命性散熱架構(gòu)設(shè)計(jì)，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]