文章分類： 氮化鎵GaN

羅姆首款高耐壓GaN驅(qū)動(dòng)器IC量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:16 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月27日，羅姆宣布推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關(guān)過程中實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)，有助于電機(jī)和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。 圖片來源：羅姆半...  [詳內(nèi)文]

英偉達(dá)攜手納微升級(jí)電源架構(gòu)，氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 23 日 16:31 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月21日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達(dá)達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達(dá)下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計(jì)算平臺(tái)。 圖片來源：納微半導(dǎo)體 當(dāng)前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內(nèi)文]

阿爾法推出氮化鎵機(jī)器人關(guān)節(jié)模組

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 20 日 15:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，氮化鎵（GaN）正以高電子遷移率、高耐壓、低損耗等特性，成為人形機(jī)器人核心部件升級(jí)的關(guān)鍵推手。近期，國內(nèi)公司傳出相關(guān)新動(dòng)態(tài)。 5月17日，中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵（GaN）驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人關(guān)節(jié)模組（型號(hào)：ZK-RI 0–PRO...  [詳內(nèi)文]

外延基地投產(chǎn)、氮化鎵芯片破億，華潤微雙線告捷

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 19 日 15:33 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月16日，華潤微電子功率器件事業(yè)群旗下潤新微電子（大連）有限公司在大連高新區(qū)黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行“氮化鎵億顆芯片慶典暨外延生產(chǎn)基地通線儀式”?；顒?dòng)上正式宣告其氮化鎵外延生產(chǎn)基地建成投產(chǎn)，并同步慶祝氮化鎵芯片累計(jì)出貨量突破一億顆。 外延生產(chǎn)基地正式通線 據(jù)官方披露，該外延生產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 12 日 14:25 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月9日，電子科技大學(xué)教授、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強(qiáng)，正式發(fā)布了全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標(biāo)志著中國在量子科技領(lǐng)域邁出了重要一步，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供了關(guān)鍵硬件支撐。 source：成都市發(fā)展改革委 據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實(shí)際尺寸僅有0...  [詳內(nèi)文]

氮矽科技攜手Ulike打造首款超聲炮美容儀產(chǎn)品，加速GaN元件導(dǎo)入消費(fèi)市場

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 30 日 16:42 |
| 分類: 氮化鎵GaN
致力于引領(lǐng)全球氮化鎵(GaN)革命的解決方案供應(yīng)商氮矽科技近日宣布，氮矽科技先進(jìn)低壓氮化鎵集成方案DXC3510S2CA產(chǎn)品成功應(yīng)用于由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10。依靠其超高頻、高效能等性能優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)方案強(qiáng)力支持產(chǎn)品超聲聚能和能...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科多款氮化鎵產(chǎn)品集中亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 29 日 15:35 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日， 英諾賽科在慕尼黑上海電子展（Electronica China）和武漢九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（CSE）上展出的氮化鎵產(chǎn)品及解決方案，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。 其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點(diǎn)展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V ...  [詳內(nèi)文]

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)展示自研產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 27 日 15:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳平湖實(shí)驗(yàn)室”官微消息，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)期間，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)對(duì)外全面展示科研平臺(tái)、設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)、中試平臺(tái)、分析檢測中心能力，同時(shí)帶來了8吋 SiC激光剝離襯底及復(fù)合襯底、1200V SiC外延及厚膜外延...  [詳內(nèi)文]

聞泰科技、三安光電財(cái)報(bào)出爐，聚焦SiC與GaN進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 27 日 14:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，聞泰科技與三安光電相繼發(fā)布最新財(cái)務(wù)報(bào)告，這兩家公司均在第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域展現(xiàn)出積極的布局和顯著的進(jìn)展。聞泰科技憑借其在半導(dǎo)體和通信技術(shù)領(lǐng)域的多元化優(yōu)勢(shì)，在車規(guī)級(jí)碳化硅應(yīng)用和氮化鎵高效能領(lǐng)域取得突破；而三安光電則依托其在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的...  [詳內(nèi)文]

濟(jì)南打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)相關(guān)項(xiàng)目建設(shè)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 23 日 16:10 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，濟(jì)南發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展計(jì)劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動(dòng)能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國家支持。 近年濟(jì)南市依托政...  [詳內(nèi)文]