7月1日，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）宣布，與全球領(lǐng)先的晶圓代工廠力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）達(dá)成戰(zhàn)略合作。
此次合作的核心在于正式啟動并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)先進(jìn)的200mm硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。此舉旨在顯著提升供應(yīng)鏈韌性、加速技術(shù)創(chuàng)新，并優(yōu)化成本效益，從而推動氮化鎵技術(shù)在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心、電動汽車（EV）、太陽能以及智能手機和家電等高增長市場的廣泛應(yīng)用。
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圖片來源：納微半導(dǎo)體
強強聯(lián)手，擴(kuò)大GaN制造規(guī)模
納微半導(dǎo)體計劃利用力積電位于中國臺灣新竹竹南科學(xué)園區(qū)8B工廠的200毫米產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)。該工廠自2019年投入運營以來，已展現(xiàn)出支持包括微型LED到射頻氮化鎵器件在內(nèi)的多種高產(chǎn)能氮化鎵制造流程的強大實力。
力積電憑借其先進(jìn)的180nm CMOS工藝能力，將為納微提供更小、更先進(jìn)的工藝節(jié)點。納微寬禁帶技術(shù)平臺高級副總裁Sid Sundaresan博士表示，在180nm工藝節(jié)點上生產(chǎn)200mm硅基氮化鎵，將使公司能夠持續(xù)創(chuàng)新，實現(xiàn)更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同時大幅提升成本控制、規(guī)?；芰椭圃炝悸?。
此次合作中，力積電將為納微半導(dǎo)體生產(chǎn)100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合，以滿足48V基礎(chǔ)設(shè)施對氮化鎵日益增長的需求，特別是針對超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車。首批器件預(yù)計將于2025年第四季度完成認(rèn)證。其中，100V系列計劃于2026年上半年在力積電率先投產(chǎn)，而650V器件將在未來12-24個月內(nèi)從納微現(xiàn)有的供應(yīng)商臺積電逐步轉(zhuǎn)由力積電代工。
行業(yè)背景顯示，納微半導(dǎo)體此前的GaN功率IC主要在臺積電的晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)，早期報道指出納微可能利用的是臺積電的6英寸晶圓廠工藝，其GaN-on-Si生產(chǎn)利用成本效益高且廣泛可用的250-350納米設(shè)備，保持了較低的制造成本。此次向力積電的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移，不僅是產(chǎn)能的擴(kuò)展，更是納微半導(dǎo)體在供應(yīng)鏈多元化、風(fēng)險分散及成本效益優(yōu)化方面的重要戰(zhàn)略部署，旨在充分利用200mm晶圓生產(chǎn)的規(guī)模優(yōu)勢。
技術(shù)與市場雙驅(qū)動，賦能多領(lǐng)域創(chuàng)新
納微半導(dǎo)體近期在全球多個關(guān)鍵市場取得了顯著進(jìn)展，彰顯其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位及其廣泛的應(yīng)用潛力。
在AI數(shù)據(jù)中心與電動汽車領(lǐng)域，納微的氮化鎵與碳化硅（SiC）技術(shù)已成功助力NVIDIA 800V HVDC架構(gòu)應(yīng)用于1兆瓦以上IT機架，充分展現(xiàn)了其在大功率解決方案上的卓越能力。在太陽能方面，全球領(lǐng)先的太陽能能源解決方案公司Enphase已宣布其下一代IQ9產(chǎn)品將采用納微的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片，進(jìn)一步推動清潔能源技術(shù)的發(fā)展。
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圖片來源：納微半導(dǎo)體
特別是在車載應(yīng)用領(lǐng)域，納微的高功率GaNSafe技術(shù)憑借其通過AEC-Q100和AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的旗艦產(chǎn)品，正逐步深入商用車載充電機（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓DC-DC變換器等電動汽車核心應(yīng)用。此項技術(shù)已成功進(jìn)入長安汽車的首款商用氮化鎵車載充電器，標(biāo)志著納微車規(guī)級GaN解決方案的商業(yè)化進(jìn)程邁出了重要一步。
而在核心技術(shù)布局方面，納微半導(dǎo)體推出了GaNSense?和GaNSlim?等先進(jìn)技術(shù)。GaNSense?技術(shù)通過將氮化鎵器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護(hù)功能集成，實現(xiàn)了無損可編程電流采樣，有效提升了能效并降低了損耗，該技術(shù)已應(yīng)用于Redmi K50冠軍版電競手機的120W氮化鎵充電器中。
而GaNSlim?氮化鎵功率芯片則采用納微專利的DPAK-4L封裝，集成了智能電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，旨在打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。納微還推出了97.8%超高效的12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源，采用氮化鎵與碳化硅混合設(shè)計，符合開放計算項目（OCP）要求，以及第三代快速碳化硅MOSFETs，進(jìn)一步提升AI數(shù)據(jù)中心功率并加快電動汽車充電速度。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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