據(jù)韓媒報(bào)道，日前，韓國(guó)舉辦了“氧化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖研討會(huì)”，會(huì)上公布了氧化鎵專利申請(qǐng)情況。
根據(jù)AnA Patent對(duì)韓國(guó)、中國(guó)、美國(guó)、歐洲、日本等6個(gè)主要PCT國(guó)家/地區(qū)所持有的氧化鎵功率半導(dǎo)體元件有效專利分析，截至2021年9月共有1011件專利，其中中國(guó)擁有328件，日本擁有專利313件，兩國(guó)專利數(shù)量占總數(shù)的50%以上。2021年9月至2022年11月新增的460件專利中，大部分來自中國(guó)（240 件）和日本（87件）。
AnA Patent專利代理人表示，“僅過了1年零2個(gè)月，氧化鎵功率半導(dǎo)體元件相關(guān)專利數(shù)就增加了50%左右，世界各國(guó)的專利確保動(dòng)向非?；钴S。雖然不能僅憑專利就討論實(shí)際技術(shù)能力，但值得關(guān)注的是，中國(guó)和日本申請(qǐng)了大量專利。”
氧化鎵，是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以β-Ga2O3單晶為基礎(chǔ)材料的功率器件具有更高的擊穿電壓與更低的導(dǎo)通電阻，從而擁有更低的導(dǎo)通損耗和更高的功率轉(zhuǎn)換效率，在功率電子器件方面具有極大的應(yīng)用潛力。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
今年以來，我國(guó)在氧化鎵領(lǐng)域突破不斷。
2月，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺(tái)在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
同月，中國(guó)電科46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國(guó)際最高水平。
3月，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
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