從歡呼聲到質(zhì)疑聲，GaN（氮化鎵）近幾年在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)并非一路坦途，中間呈現(xiàn)出些許“雷聲大雨點(diǎn)小”的態(tài)勢(shì)，但GaN巨大的應(yīng)用潛力一直毋庸置疑，用心挖掘其技術(shù)潛能并認(rèn)真耕耘市場(chǎng)的企業(yè)深知，GaN只是還沒(méi)到綻放的時(shí)機(jī)。而當(dāng)下多種跡象逐漸證明，GaN將迎來(lái)華麗轉(zhuǎn)身，如今的走向與當(dāng)初看似消極的局面相比已是云泥之別。
消費(fèi)電子市場(chǎng)走向成熟，GaN初闖高功率市場(chǎng)受挫
GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）同為性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，二者在擊穿電場(chǎng)、高溫性能、高功率處理能力以及化學(xué)穩(wěn)定性等方面存在共同之處，但相比之下，GaN在開(kāi)關(guān)頻率和能效上更加突出，因此更適合高頻應(yīng)用領(lǐng)域，有助于實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換、減少開(kāi)關(guān)損耗、降低熱耗散、縮小元件尺寸等。
按應(yīng)用劃分，GaN主要面向光電子、射頻通訊、功率半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)應(yīng)消費(fèi)電子、無(wú)線(xiàn)通信、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)、航空航天、國(guó)防軍工等細(xì)分場(chǎng)景。其中，光電子是GaN最快普及的應(yīng)用，至今已有很多年的發(fā)展歷史，但GaN真正“火”起來(lái)是在近幾年的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，并首先崛起于消費(fèi)電子快充應(yīng)用。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示，2020年全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為0.5億美金，至2022年成長(zhǎng)至1.8億美金，年復(fù)合增長(zhǎng)率約53%。其中，2022年的市場(chǎng)規(guī)模相比2021年大幅增長(zhǎng)了125%。
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也就是在這一年，GaN高速滲透快充市場(chǎng)，并開(kāi)始向家電、智能手機(jī)等其他消費(fèi)場(chǎng)景拓展；與此同時(shí)，新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)的迭代升級(jí)，使得GaN作為更為符合新需求的理想材料之一亦被寄予了厚望。在此背景下，GaN廠商從低功率朝向高功率市場(chǎng)延伸便順理成章。
然而，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，一方面，快充、適配器等消費(fèi)電子市場(chǎng)不斷成熟，可供廠商發(fā)揮的空間、可分的“蛋糕”持續(xù)縮?。涣硪环矫?，在汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心等高功率應(yīng)用領(lǐng)域，由于技術(shù)可靠性、成本等問(wèn)題，多數(shù)GaN廠商處于產(chǎn)品研發(fā)、驗(yàn)證、送樣、項(xiàng)目合作階段，真正落地的案例鮮少，這也側(cè)面反映GaN打開(kāi)高功率市場(chǎng)需更多的技術(shù)和時(shí)間沉淀。
GaN產(chǎn)業(yè)步入整合期，量到質(zhì)的改變開(kāi)始顯現(xiàn)
為了突破高壓大功率市場(chǎng)，不少?gòu)S商開(kāi)始嘗試新結(jié)構(gòu)、新工藝路線(xiàn)，其中包括有望全面解鎖GaN優(yōu)良特性的垂直GaN元件，但這條路并不好走。隨著時(shí)間的推移，各家廠商面臨前期大量投入難以?xún)冬F(xiàn)的壓力，而持續(xù)創(chuàng)新的研發(fā)投入需求則帶來(lái)了資金的壓力，多方面承壓之下，退場(chǎng)者隨之出現(xiàn)。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，今年1-3月，美國(guó)垂直GaN器件廠NexGen Power Systems與Odyssey Semiconductor相繼宣布倒閉、破產(chǎn)。
同樣地，GaN頭部廠商也面臨更進(jìn)一步發(fā)展以及長(zhǎng)遠(yuǎn)立足的難題，于是有了GaN Systems并入功率半導(dǎo)體大廠英飛凌（Infineon），Transphorm并入全球半導(dǎo)體芯片大廠瑞薩電子（Renesas），Odyssey Semiconductor并入Power Integrations（PI）。
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雖然沒(méi)有出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)?；驉盒?xún)r(jià)格戰(zhàn)等現(xiàn)象，但GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)顯然也進(jìn)入了一輪洗牌調(diào)整期。從并購(gòu)、倒閉破產(chǎn)案可見(jiàn)，未來(lái)能夠馳騁GaN“沙場(chǎng)”的定是具備過(guò)硬綜合競(jìng)爭(zhēng)力的廠商，這其實(shí)對(duì)于GaN產(chǎn)業(yè)而言利大于弊，因?yàn)閮?yōu)勢(shì)資源的不斷集中有利于推動(dòng)技術(shù)加快產(chǎn)業(yè)化，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。
在供應(yīng)鏈資源大整合之際，廠商的技術(shù)沉淀與項(xiàng)目開(kāi)發(fā)進(jìn)展也到了一個(gè)新的階段，隨之而來(lái)的便是GaN技術(shù)逐步從量到質(zhì)的改變。
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，經(jīng)過(guò)幾年的技術(shù)儲(chǔ)備，GaN相關(guān)廠商目前在消費(fèi)電子增量市場(chǎng)、電動(dòng)汽車(chē)、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)都取得了更多實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展，并逐步收獲成果。
以汽車(chē)和新能源應(yīng)用為例，納微半導(dǎo)體（Navitas）2023年針對(duì)車(chē)載OBC及路邊充電樁場(chǎng)景引入新的GaNSafe?技術(shù)（配合其SiC技術(shù)），截至今年第二季度，納微22kW車(chē)載充電機(jī)（OBC）方案已有15個(gè)客戶(hù)項(xiàng)目在推進(jìn)至評(píng)審階段，其預(yù)計(jì)電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域?qū)⒃?025年底獲得首批由GaN技術(shù)帶來(lái)的收入。
在太陽(yáng)能/儲(chǔ)能市場(chǎng)，納微此前已打入美國(guó)前五大太陽(yáng)能設(shè)備制造商中三家的供應(yīng)鏈，截至今年第二季度，納微已有6個(gè)相關(guān)的客戶(hù)項(xiàng)目推進(jìn)至評(píng)審階段，預(yù)計(jì)將于明年在美國(guó)實(shí)現(xiàn)GaN基微型逆變器的量產(chǎn)。
國(guó)內(nèi)廠商中，鎵未來(lái)（GaNext）實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)GaN突破光伏微逆市場(chǎng)，其集成型Cascode 技術(shù)GaN功率器件設(shè)計(jì)已用在微型逆變器龍頭廠商的2000W新型逆變器中；氮矽科技也與全球頭部逆變器設(shè)計(jì)公司及知名制造商建立了戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)一款基于GaN技術(shù)的新一代微型逆變器。
汽車(chē)應(yīng)用方面，氮矽科技今年發(fā)布了一款超高開(kāi)關(guān)頻率（>100MHz）驅(qū)動(dòng)芯片，適用于高速汽車(chē)激光雷達(dá)系統(tǒng)；同時(shí)，該公司正在推進(jìn)多款100V集成驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證，這些產(chǎn)品主要適用于車(chē)載無(wú)線(xiàn)充和DC-DC；鎵未來(lái)目前也正在推進(jìn)產(chǎn)品的車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，同步與車(chē)廠展開(kāi)相關(guān)項(xiàng)目研究；IDM廠商能華微則在推進(jìn)1200V產(chǎn)品的車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證······
AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等引燃，GaN“上大分”
AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器
數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域也是近幾年GaN廠商重點(diǎn)耕耘的方向之一，從相關(guān)廠商的進(jìn)展可見(jiàn)，GaN在數(shù)據(jù)中心電源市場(chǎng)的應(yīng)用已經(jīng)邁出了一大步，而AI技術(shù)的興起為該市場(chǎng)再添了一把火。
在AI生態(tài)中，數(shù)據(jù)中心對(duì)高速運(yùn)算和電力都有著龐大的需求。根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查，NVIDIA（英偉達(dá)） Blackwell平臺(tái)將于2025年正式放量，取代既有的Hopper平臺(tái)，成為NVIDIA高端GPU（圖形處理器）主力方案，占整體高端產(chǎn)品近83%。在B200和GB200等追求高效能的AI Server機(jī)種，單顆GPU功耗可達(dá)1,000W以上。
面對(duì)高漲的功率需求，每個(gè)數(shù)據(jù)中心機(jī)柜的功率規(guī)格將從30-40kW推高至100kW，對(duì)于數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)來(lái)說(shuō)挑戰(zhàn)極大，而GaN與液冷技術(shù)的結(jié)合，將成為提升AI 數(shù)據(jù)中心能效的關(guān)鍵。
芯片功耗的大幅上升需要服務(wù)器擁有更高的功率密度和效能，GaN能夠降低損耗、提高功率密度，已被視為AI數(shù)據(jù)中心優(yōu)化能源效率的關(guān)鍵技術(shù)之一，吸引了英飛凌、德州儀器（TI）、納微、英諾賽科、Transphorm、能華微、氮矽科技、鎵未來(lái)等大批GaN玩家加入布局陣列。其中，納微和英飛凌均公布了AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線(xiàn)圖，表明搶占該市場(chǎng)制高點(diǎn)的決心。
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英飛凌AI數(shù)據(jù)中心電源路線(xiàn)圖
英飛凌融合Si、SiC以及GaN的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，已推出輸出功率為3 kW和3.3 kW的PSU，8 kW PSU預(yù)計(jì)將于2025年第一季度上市，全新8 kW PSU支持最高輸出功率達(dá)300 kW或以上的AI機(jī)架。與3 kW PSU的32 W/in3 相比，其效率和功率密度提升至100 W/in3，進(jìn)一步縮小了系統(tǒng)尺寸并節(jié)省了運(yùn)營(yíng)商的成本。
以GaN技術(shù)來(lái)看，英飛凌的CoolGaN? 解決方案可為PFC拓?fù)涮峁┏^(guò)99%的系統(tǒng)效率。此外，英飛凌收購(gòu)的GaN Systems則早在2022年就發(fā)布了3.2kW AI服務(wù)器電源供應(yīng)器，并于2023年推出第四代GaN平臺(tái)，效率超過(guò)鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度從100W/in3提升至120W/in3。因此，雙方結(jié)合后在GaN領(lǐng)域產(chǎn)生的效應(yīng)備受看好。
納微去年全新GaNSafe?和Gen-3 Fast碳化硅技術(shù)以及納微專(zhuān)用設(shè)計(jì)中心已設(shè)計(jì)完成4.5kW CRPS，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)硅解決方案兩倍以上功率密度。在此基礎(chǔ)上，納微7月發(fā)布全新的CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案，功率密度達(dá)137W/in3，效率超97%。
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納微AI數(shù)據(jù)中心電源路線(xiàn)圖
納微透露，3.2kW和4.5kW電源方案已有超過(guò)60個(gè)數(shù)據(jù)中心客戶(hù)項(xiàng)目正在研發(fā)中，預(yù)計(jì)將在2024-2025年間為納微GaN和SiC的營(yíng)收帶來(lái)數(shù)百萬(wàn)美元的增長(zhǎng)。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體進(jìn)一步了解，納微預(yù)計(jì)用于AI數(shù)據(jù)中心電源方案有望于年底實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。
面對(duì)AI服務(wù)器興起創(chuàng)造的商機(jī)，GaN廠商顯然加快了步伐。除了英飛凌和納微之外，其他廠商也在通過(guò)各自的發(fā)展路線(xiàn)悶聲謀大事，如TI、EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換）、能華微、鎵未來(lái)、氮矽科技等。
TI早在2021年便與全球最大的服務(wù)器電源供應(yīng)商臺(tái)達(dá)（市占率近5成）就數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源達(dá)成合作，基于其GaN技術(shù)和C2000? MCU實(shí)時(shí)控制解決方案，為數(shù)據(jù)中心開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）。基于長(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系，雙方在AI服務(wù)器電源市場(chǎng)的合作成果將備受期待。
鎵未來(lái)已與知名院校達(dá)成合作，由其提供理論依據(jù)和技術(shù)支持，共同完成 3.5kW 無(wú)風(fēng)扇服務(wù)器電源的開(kāi)發(fā),通過(guò)兩相交錯(cuò)圖騰柱 PFC及 LLC實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度48V電源方案。鎵未來(lái)指出，AI 服務(wù)器與傳統(tǒng)服務(wù)器相比具有功率等級(jí)高且長(zhǎng)時(shí)間滿(mǎn)載工作的特性，對(duì)于電源的轉(zhuǎn)換效率要求更高，因此采用GaN器件的圖騰柱PFC拓?fù)鋵⑹亲顑?yōu)選擇。
產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面，EPC將在本月底的PCIM Asia展會(huì)展示最新一代GaN FET和IC，涵蓋包括AI服務(wù)器、機(jī)器人等在內(nèi)的各種實(shí)際應(yīng)用；氮矽科技多款相關(guān)產(chǎn)品已送樣國(guó)內(nèi)頭部知名企業(yè)，并完成了相關(guān)的可靠性測(cè)試；能華微1200V GaN產(chǎn)品也已經(jīng)送樣知名服務(wù)器電源廠，正在進(jìn)行可靠性評(píng)估。
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人形機(jī)器人
事實(shí)上，不止AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，更多新興市場(chǎng)正在為GaN產(chǎn)業(yè)注入活力，如今年發(fā)展一樣如火如荼的人形機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)。
人形機(jī)器人的系統(tǒng)主要由傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)四部分構(gòu)成，而GaN的“用武之地”包括激光雷達(dá)系統(tǒng)、電機(jī)控制器、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電池BMS。其中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)扮演關(guān)鍵角色。
TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，由于自由度急劇上升，人形機(jī)器人對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的需求量大幅增加，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，而GaN能夠滿(mǎn)足這些需求，還可以在熱管理、緊湊設(shè)計(jì)等方面提高人形機(jī)器人的整體性能，優(yōu)化整體設(shè)計(jì)。
據(jù)悉，西門(mén)子、安川電機(jī)、Elmo等已經(jīng)在機(jī)器人電機(jī)中導(dǎo)入了GaN技術(shù)，而GaN產(chǎn)業(yè)鏈也正摩拳擦掌。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，TI、EPC、Transphorm、英諾賽科、納微、能華微等正在推動(dòng)GaN于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的應(yīng)用。其中，Transphorm已為安川電機(jī)的新型伺服電機(jī)提供了GaN FET 產(chǎn)品。
TrendForce集邦咨詢(xún)表示，未來(lái)的機(jī)器人定會(huì)超乎想象，而精確、快速和強(qiáng)大的運(yùn)動(dòng)能力是其中之關(guān)鍵，驅(qū)動(dòng)其運(yùn)動(dòng)所需的電機(jī)也勢(shì)必隨之進(jìn)步，GaN將因此受益。
綜合當(dāng)前廠商頻繁的動(dòng)作來(lái)看，AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等新興產(chǎn)業(yè)無(wú)疑引燃了GaN市場(chǎng)，相關(guān)廠商多年的儲(chǔ)備和積累可望加快變現(xiàn)。譬如，英飛凌預(yù)估來(lái)自AI電源領(lǐng)域的營(yíng)收將在2025財(cái)年實(shí)現(xiàn)同比翻番，同時(shí)將在2-3年內(nèi)突破10億歐元。
GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提速，誰(shuí)將占據(jù)龍頭寶座？
短期而言，消費(fèi)電子市場(chǎng)仍將是功率GaN的主舞臺(tái)，并且，家電、智能手機(jī)等更多消費(fèi)電子應(yīng)用正在為GaN提供新的發(fā)展空間。但長(zhǎng)期而言，電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心等將成為GaN更重要的增長(zhǎng)引擎。
據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示，長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)自電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，受此驅(qū)動(dòng)，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估從2023年的2.71億美金左右上升至2030年的43.76億美金，年復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）高達(dá)49%。其中，非消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用的比例預(yù)計(jì)將從2023年的23%上升至2030年的48%。
足見(jiàn)，電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用動(dòng)能強(qiáng)勁，GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)可期，這也側(cè)面解釋了英特爾（Intel）、臺(tái)積電（TSMC）等集成電路賽道的大廠同樣青睞GaN的原因。其中，英特爾去年底就透露已集成CMOS硅晶體管與GaN功率晶體管，用于高度集成的48V設(shè)備。
從區(qū)域市場(chǎng)層面觀察，GaN正在吸引更多的戰(zhàn)略投資。以中國(guó)香港為例，該地在7月底啟動(dòng)了首條超高真空GaN外延片中試線(xiàn)，由香港科技園公司與GaN外延技術(shù)商麻省光子技術(shù)(香港)有限公司聯(lián)合于7月底舉行了啟動(dòng)儀式，麻省光子技術(shù)預(yù)計(jì)將在香港投資至少2億港元，帶動(dòng)當(dāng)?shù)鼗衔锇雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
可以預(yù)見(jiàn)，未來(lái)會(huì)有更多玩家和資金涌入GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，而市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也將逐步激烈化。然而，市場(chǎng)格局目前撲朔迷離，未來(lái)誰(shuí)能占據(jù)龍頭寶座仍是未知數(shù)。
TrendForce集邦咨詢(xún)指出，從產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，F(xiàn)abless（無(wú)晶圓廠）公司在過(guò)去一段時(shí)間里表現(xiàn)較為活躍，但隨著產(chǎn)業(yè)不斷整合以及應(yīng)用市場(chǎng)逐步打開(kāi)，未來(lái)傳統(tǒng)IDM大廠的話(huà)語(yǔ)權(quán)有望顯著上升，為產(chǎn)業(yè)格局的未來(lái)圖景帶來(lái)新的重大變數(shù)。
當(dāng)前，從商業(yè)模式劃分，GaN玩家包括英飛凌、瑞薩（Transphorm）等傳統(tǒng)綜合型的IDM（集成器件制造）大廠，PI、納微、EPC等Fabless設(shè)計(jì)廠，英諾賽科、能華微等專(zhuān)業(yè)型IDM廠。
在消費(fèi)電子應(yīng)用仍占大比重的背景下，英諾賽科占據(jù)較大的市場(chǎng)份額，加上其努力推廣工業(yè)應(yīng)用，整體市占率位居前列。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)數(shù)據(jù)顯示，2023年GaN功率半導(dǎo)體市占率前五大廠商分別是英諾賽科、PI、納微、EPC、英飛凌。
而數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)、光伏逆變器等更高功率的應(yīng)用對(duì)廠商的集成整合能力以及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)等各方面提出了更高的要求，因此，英飛凌、瑞薩、TI等傳統(tǒng)IDM廠商，以及TI等在這方面的優(yōu)勢(shì)將逐步顯現(xiàn)。
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，作為全球最大的功率半導(dǎo)體以及車(chē)用半導(dǎo)體廠商，目前英飛凌正在充分發(fā)揮和融合Si、SiC以及GaN的獨(dú)有優(yōu)勢(shì)，技術(shù)創(chuàng)新與集成能力以及綜合成本優(yōu)勢(shì)有望逐步凸顯。Fabless廠商中，納微也在發(fā)揮其在SiC、GaN以及驅(qū)動(dòng)技術(shù)的集成能力和協(xié)同優(yōu)勢(shì)，筑高自身的競(jìng)爭(zhēng)壁壘。
而英諾賽科、能華微等專(zhuān)業(yè)型廠商技術(shù)專(zhuān)注度高、創(chuàng)新速度快、決策鏈條短、市場(chǎng)靈活性高，能夠以深厚的技術(shù)積累，適時(shí)調(diào)整產(chǎn)品線(xiàn)和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，快速響應(yīng)GaN市場(chǎng)新需求。
綜合而言，不同模式下的廠商實(shí)力與水平各有千秋，布局策略和發(fā)展路線(xiàn)也有所不同，目前在新興應(yīng)用賽道上各方都處于前期起跑蓄力階段，勝負(fù)未分。不過(guò)，英飛凌、TI等廠商今年明顯向GaN傾注了更多資源，均展現(xiàn)出勇奪龍頭寶座之勢(shì)。未來(lái)，GaN功率半導(dǎo)體的“天平”將傾向哪一方？答案或許將隨之市場(chǎng)的打開(kāi)逐步揭曉。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 陳佳純）
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