文章分類： 氮化鎵GaN

意法半導(dǎo)體重磅官宣與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 03 日 18:15 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月1日，意法半導(dǎo)體重磅宣布與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，提升氮化鎵功率解決方案的競(jìng)爭(zhēng)力和供應(yīng)鏈韌性。 source：意法半導(dǎo)體中國(guó) 技術(shù)方面，兩家廠商的合作致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。...  [詳內(nèi)文]

又一筆GaN收購(gòu)，三墾電氣13億日元收購(gòu) POWDEC

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 03 日 18:12 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近年來，氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體技術(shù)因其高效率、高功率密度和耐高溫特性，在電力電子、射頻通信及新能源領(lǐng)域的重要性日益凸顯。氮化鎵領(lǐng)域的企業(yè)間的技術(shù)合作與戰(zhàn)略并購(gòu)也逐漸成為行業(yè)發(fā)展的新常態(tài)。 3月27日，日本三墾電氣株式會(huì)社（Sanken Electric）宣布，在董事會(huì)會(huì)議上決定以...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵大爆發(fā)，英諾賽科、羅姆披露最新動(dòng)態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 03 日 12:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入材料革命的新階段，第三代半導(dǎo)體重要性日益突出，其中，氮化鎵正成為冉冉升起的新星，應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)展，車規(guī)級(jí)氮化鎵隱隱有爆發(fā)的態(tài)勢(shì)，推動(dòng)英諾賽科等廠商業(yè)績(jī)上漲，也吸引相關(guān)廠商持續(xù)布局。 英諾賽科最新業(yè)績(jī)出爐，車規(guī)級(jí)氮化鎵交付量增長(zhǎng)986.7% 近日，氮化鎵龍頭企業(yè)英...  [詳內(nèi)文]

AI、機(jī)器人、氮化鎵等浪潮來襲，英飛凌四大新品亮劍

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 31 日 15:35 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開了深度探討，其首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

新凱來、電科裝備、高測(cè)股份大動(dòng)作，瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體等發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 27 日 12:34 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
SEMICON China 2025正如火如荼在上海召開，半導(dǎo)體設(shè)備參展廠商活躍，吸引觀眾駐足。值得一提的是，本次展會(huì)上，圍繞第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域，包括新凱來、電科裝備、高測(cè)股份等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商拿出了最新產(chǎn)品與方案。 1、新凱來展示多款半導(dǎo)體設(shè)備，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域！ ...  [詳內(nèi)文]

日本住友利用二英寸金剛石襯底制備出氮化鎵器件

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 27 日 12:02 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
日本住友電氣工業(yè)株式會(huì)社（Sumitomo Electric）近日宣布，其與大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破——成功在直徑兩英寸的多晶金剛石（PCD）基板上研制出高性能氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管。 該創(chuàng)新成果通過革命性散熱架構(gòu)設(shè)計(jì)，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]

全球首創(chuàng)！我國(guó)九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮化鎵材料新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 24 日 14:17 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)九峰山實(shí)驗(yàn)室3月22日消息，九峰山實(shí)驗(yàn)室的科研團(tuán)隊(duì)在全球首創(chuàng)性地實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備，這一成果不僅標(biāo)志著我國(guó)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重大進(jìn)步，更為未來諸多前沿技術(shù)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 1、技術(shù)突破：氮極性氮化鎵材料的制備 ...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 21 日 14:47 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，意法半導(dǎo)體（ST）與重慶郵電大學(xué)正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議，開啟深度合作新篇章。 據(jù)悉，此次簽約是落實(shí)2023年11月意法半導(dǎo)體與重慶高新區(qū)《人才培養(yǎng)與聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)際合作備忘錄》的重要舉措，旨在服務(wù)重慶“33618”現(xiàn)代制造業(yè)集群建設(shè)戰(zhàn)略，助力智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)聯(lián)合，攻關(guān)8英寸外延片功率器件工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 21 日 14:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)深圳國(guó)資消息，3月18日，重投天科與鵬進(jìn)高科、尚陽(yáng)通科技正式簽署合作協(xié)議，共同聚焦于8英寸外延片功率器件工藝的聯(lián)合攻關(guān)。這一合作標(biāo)志著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在關(guān)鍵材料技術(shù)領(lǐng)域的深度協(xié)同，旨在突破高端功率器件制造中的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。 source：深重投集團(tuán) 8英寸外延片是半導(dǎo)體制造中的...  [詳內(nèi)文]

華潤(rùn)微旗下公司發(fā)力，氮化鎵外延片項(xiàng)目將投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 20 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
海創(chuàng)集團(tuán)官微消息，近日，潤(rùn)新微電子集團(tuán)有限公司與大連海創(chuàng)集團(tuán)有限公司下屬建設(shè)發(fā)展公司正式達(dá)成戰(zhàn)略合作，宣布入駐黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園。 上述項(xiàng)目是第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延材料和電子元器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的重要基地總建筑面積6238.38平方米，同時(shí)配套有占地面積2966.6平方米的附屬設(shè)...  [詳內(nèi)文]