文章分類： 氮化鎵GaN

EPC專利被判決無效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:19 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè) , 氮化鎵GaN
3月19日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）宣布，其在與美國宜普公司（EfficientpowerConversionCorporation，EPC）發(fā)起的專利侵權(quán)案中取得決定性勝利。 3月18日,美國專利局（USPTO）對EPC涉案專利(US’294號專...  [詳內(nèi)文]

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:07 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器”的專利。 專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器。該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上...  [詳內(nèi)文]

杭州第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目迎新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:04 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杭州“臨安發(fā)布”消息，愛矽科技園項目已完成40%的施工進度。計劃今年年底，園區(qū)全部結(jié)頂竣工，爭取明年5月投入使用。 該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開工，項目計劃打造臨安首個集芯片設(shè)計研發(fā)、先進封裝封測、功率器件封裝封測等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬平方...  [詳內(nèi)文]

這家破產(chǎn)的GaN工廠，被全球三大公司競購

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 16:59 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，一場圍繞氮化鎵（GaN）技術(shù)的競購戰(zhàn)正在比利時奧德納爾德市悄然上演。曾被譽為歐洲GaN技術(shù)先驅(qū)的BelGaN工廠，因資金鏈斷裂于2024年8月申請破產(chǎn)，其440名員工的命運與價值1.3億歐元的資產(chǎn)標(biāo)的，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈爭奪的焦點。 從輝煌到隕落，BelGaN花落誰家 B...  [詳內(nèi)文]

聚焦三代半等領(lǐng)域，江蘇首只高校科技成果轉(zhuǎn)化基金完成注冊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)江蘇金融湃消息，近日江蘇首只高校科技成果轉(zhuǎn)化基金——南京高?？萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金完成工商注冊。這只總規(guī)模5億元的基金，將重點投向第三代半導(dǎo)體、前沿新材料等戰(zhàn)略領(lǐng)域，為高?？蒲谐晒D(zhuǎn)化注入”耐心資本”。 據(jù)悉，該基金由江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金、南京市創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]

國家隊再投一家化合物半導(dǎo)體大廠

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 8:56 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查最新消息顯示，3月13日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（以下簡稱“大基金二期”）投資入股了昂坤視覺（北京）科技有限公司。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 此前，昂坤視覺還獲得了中微公司、匯川技術(shù)、晶盛機電等知名產(chǎn)業(yè)方，金浦投資、招商致遠(yuǎn)、海望資本、昌發(fā)展、馮源資本、清...  [詳內(nèi)文]

歐洲九國聯(lián)盟，第三代半導(dǎo)體劃重點

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:32 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，德國、荷蘭、法國、比利時、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個國家正式簽署協(xié)議，組建“半導(dǎo)體聯(lián)盟”（Semicon Coalition），旨在通過協(xié)同合作提升芯片自給能力，并強化自身在全球半導(dǎo)體版圖的地位。 上述聯(lián)盟主攻技術(shù)主權(quán)、供應(yīng)鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:28 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關(guān)速度，在高頻應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出優(yōu)勢，吸引業(yè)界關(guān)注。近期，市場傳來納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新動態(tài)，涉及電動汽車、車載充電以及光伏逆變器等領(lǐng)域。 01 納微半導(dǎo)體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關(guān) 3月12日，納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款...  [詳內(nèi)文]

兩條8英寸產(chǎn)線新進展：涉及碳化硅、氮化鎵

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:23 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅產(chǎn)線之后，香港再傳出兩條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線進展。 近期，明報新聞網(wǎng)報道，香港微電子研發(fā)院（MRDI）正在設(shè)立兩條8英寸第三代半導(dǎo)體中試線，分別負(fù)責(zé)碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn)，預(yù)計在今年內(nèi)完成安裝及調(diào)試。 2024年5月，香港立法會批準(zhǔn)28.4億港元設(shè)立香港微電子研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

CGD官宣突破性技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 9:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)，目標(biāo)瞄準(zhǔn)規(guī)模超百億美元的電動汽車市場。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同...  [詳內(nèi)文]