杭州“臨安發(fā)布”消息，愛矽科技園項目已完成40%的施工進度。計劃今年年底，園區(qū)全部結(jié)頂竣工，爭取明年5月投入使用。
該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開工，項目計劃打造臨安首個集芯片設計研發(fā)、先進封裝封測、功率器件封裝封測等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬平方米，包括9幢多層廠房與1幢高層車間和1幢辦公樓。目前，已有3幢廠房主體順利結(jié)頂，其余6幢廠房基本出正負零。
未來，愛矽科技園不僅是愛矽科技的總部所在地，擁有第三代半導體研究院、器件及模組設計公司、多條先進生產(chǎn)線及動力配套等設施，還會招引多家半導體企業(yè)入駐，匯聚創(chuàng)新力量，形成強大的產(chǎn)業(yè)集聚效應。
source：愛矽科技
據(jù)悉，除園區(qū)自用部分，整個園區(qū)計劃引入15家左右企業(yè)，目前已成功簽約8家。照此態(tài)勢，到明年投用時，有望實現(xiàn)“開園即滿園”的理想狀態(tài)。
資料顯示，杭州作為長三角地區(qū)的重要科技創(chuàng)新中心，近年順應市場需求，杭州在第三代半導體領域（以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體材料為核心）積極布局，匯聚了眾多公司與項目。
中欣晶圓與杭州資本合作建設8英寸碳化硅外延片基地，規(guī)劃年產(chǎn)能超10萬片，填補國內(nèi)車規(guī)級SiC材料空白，已導入國際頭部設備商機臺，樣品送樣多家車企驗證。
富加鎵業(yè)已成功突破6英寸氮化鎵單晶襯底量產(chǎn)技術(shù)，良品率達國際水平。
士蘭微杭州子公司建設12英寸特色工藝線，量產(chǎn)SiC MOSFET、GaN射頻器件。
總部設在杭州的瑞能半導體，開發(fā)SiC復合封裝模塊，支持800V高壓平臺。
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當前，杭州已初步形成第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群，覆蓋材料、設計、制造到應用的完整鏈條。未來，在政策與市場需求雙重助力之下，預計杭州將進一步吸引上下游企業(yè)集聚，加速技術(shù)商業(yè)化進程。（集邦化合物半導體 王奇 整理）
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