新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)發(fā)展方興未艾，在當(dāng)中扮演著愈加重要的SiC/GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料也成為時(shí)下最火熱的發(fā)展領(lǐng)域之一。在眾多應(yīng)用中，化合物半導(dǎo)體材料被寄予厚望，但實(shí)際上產(chǎn)業(yè)的發(fā)展尚處于起步階段，產(chǎn)品自身及產(chǎn)業(yè)鏈還需要更進(jìn)一步的升級(jí)。
TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)、全球半導(dǎo)體觀察在深圳福田JW萬(wàn)豪酒店舉辦“2022集邦咨詢化合物半導(dǎo)體新應(yīng)用前瞻分析會(huì)”，與來自不同行業(yè)的500多位菁英一起探索產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)，共同展望化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的美好未來。
會(huì)議伊始，集邦咨詢總經(jīng)理樊曉莉發(fā)表致辭，她向所有參會(huì)嘉賓表示歡迎和感謝，并表達(dá)了對(duì)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的美好祝愿。隨后，化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的行業(yè)專家與集邦咨詢分析師相繼發(fā)表精彩演講，演講精華匯總?cè)缦隆?/p> 
集邦咨詢總經(jīng)理 樊曉莉
北京大學(xué)
以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體，正支撐起戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，重塑國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。北京大學(xué)沈波教授以《我國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)/產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和國(guó)家十四五科技規(guī)劃》為題，為大家?guī)砹司实难葜v。
北京大學(xué)教授、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任 沈波
報(bào)告中談到，第三代半導(dǎo)體是支撐 “新基建”和”中國(guó)制造的核心技術(shù)，其中制成的射頻器件事關(guān)國(guó)家安全和世界戰(zhàn)略平衡，是新一代移動(dòng)通信系統(tǒng)核心部件，而功率器件則是新能源汽車、高鐵動(dòng)力系統(tǒng)、新一代通用電源、電力系統(tǒng)核心部件，另外，基于GaN基LED的半導(dǎo)體照明正顯著影響和改變?nèi)藗兊纳罘绞健?/p>
對(duì)于國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，沈波教授指出，全產(chǎn)業(yè)鏈已基本形成, 比較完整，但高端產(chǎn)品（特別是電子器件領(lǐng)域）差距較大，部分高端產(chǎn)品還是空白。國(guó)內(nèi)應(yīng)致力于從實(shí)現(xiàn)“有無(wú)” 到解決“能用”和“卡脖子” 問題，實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈能力和水平提升，整體國(guó)際同步，局部實(shí)現(xiàn)超越。
Wolfspeed
作為SiC和GaN技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，Wolfspeed 產(chǎn)品家族包括了 SiC 材料、功率開關(guān)器件、射頻器件，針對(duì)電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和儲(chǔ)能、以及航空航天和國(guó)防等多種應(yīng)用。
Wolfspeed華南區(qū)銷售總監(jiān) 柯鴻彬
本次會(huì)議中，Wolfspeed華南區(qū)銷售總監(jiān)柯鴻彬?yàn)榇蠹規(guī)砹恕禤owering the Future – 馭動(dòng)未來》主題報(bào)告，他重點(diǎn)講述了汽車系統(tǒng)中SiC技術(shù)的優(yōu)異表現(xiàn)以及Wolfspeed公司的SiC領(lǐng)先解決方案，例如在22kW雙向OBC中，Si方案成本是SiC方案的1.18倍；SiC方案的峰值系統(tǒng)效率更高，能達(dá)到97%；以及SiC方案的功率密度也有很大提升，達(dá)到約~3kW/L。另外，他還描述到30kW雙向電動(dòng)車充電模塊中SiC方案的優(yōu)勢(shì)等。
Wolfspeed目前擁有垂直一體化的布局，在全球SiC襯底市場(chǎng)份額中排名第一，其位于美國(guó)紐約州Marcy的Mohawk Valley Fab工廠是目前全球最大的SiC制造工廠，實(shí)現(xiàn)200mm制程。這一采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的工廠預(yù)計(jì)將于2022年初投入使用，屆時(shí)將大幅擴(kuò)大公司SiC產(chǎn)能，Wolfspeed正在推進(jìn)多個(gè)產(chǎn)業(yè)從Si到SiC的重要轉(zhuǎn)型。Wolfspeed SiC技術(shù)憑借著卓越的性能開啟新的可能，并將為我們的生活方式帶來積極變化。作為SiC技術(shù)的先鋒引領(lǐng)者，Wolfspeed對(duì)于未來的前景激動(dòng)不已。
晶能光電
晶能光電在硅襯底GaN技術(shù)領(lǐng)域已耕耘近二十載，在全球率先實(shí)現(xiàn)硅襯底GaN技術(shù)在LED領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化和市場(chǎng)應(yīng)用。
晶能光電外延研發(fā)經(jīng)理 郭嘯
本次會(huì)議中，晶能光電外延研發(fā)經(jīng)理郭嘯為大家?guī)砹恕豆枰r底氮化鎵Mini/Micro LED顯示技術(shù)發(fā)展與未來》主題報(bào)告。
MiniLED部分，他重點(diǎn)談到了晶能光電硅襯底MiniLED 超高清顯示屏應(yīng)用進(jìn)展和正在開發(fā)中的TFFC芯片P0.6—P0.3間距解決方案，以及硅襯底垂直結(jié)構(gòu)MiniLED產(chǎn)品量產(chǎn)規(guī)劃。
Micro LED部分，他指出，相比成熟的OLED技術(shù)，Micro LED顯示技術(shù)的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化還存在很多的困難，其中紅光LED是Micro LED技術(shù)的重大瓶頸之一，開發(fā)高效的氮化鎵基紅光Micro LED成為當(dāng)務(wù)之急。但值得關(guān)注的是，2021年9月，晶能光電成功制備紅、綠、藍(lán)三基色硅襯底Micro LED陣列，在Micro LED全彩芯片開發(fā)上邁出了關(guān)鍵的一步。
從可見光到不可見光，從普通照明到Micro LED新型顯示，從發(fā)光器件到GaN功率器件，晶能光電專注硅襯底GaN技術(shù)，正在給客戶提供更有技術(shù)含量的產(chǎn)品，從“性價(jià)比”提升至“質(zhì)價(jià)比”，為客戶創(chuàng)造更大的價(jià)值。
ROHM
ROHM作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)之一，擁有垂直一體化的產(chǎn)業(yè)布局。ROHM早在2010年開始量產(chǎn)SiC MOSFET，2012年開始供應(yīng)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載級(jí)產(chǎn)品，如今已與國(guó)內(nèi)外汽車企業(yè)深度合作。
羅姆公司高級(jí)工程師 羅魁
本次羅姆公司高級(jí)工程師羅魁為大家?guī)砹恕稖\談電動(dòng)汽車市場(chǎng)的SiC器件應(yīng)用》主題報(bào)告，他重點(diǎn)介紹了SiC在電動(dòng)汽車主機(jī)逆變器/OBC/DC-DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用，以及ROHM公司的下一代SiC-MOSFET和未來的發(fā)展戰(zhàn)略。
在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，除了小型、高效率這一基本需求之外，隨著高壓化和雙向化等需求走向多樣化，SiC將大規(guī)模應(yīng)用。而在主機(jī)逆變器部分，SiC能通過提高逆變器效率來減少電池裝載量，從而降低整車系統(tǒng)成本，但SiC于此也面臨著器件/封裝技術(shù)以及成本等課題。
ROHM公司做出了相應(yīng)的努力，在器件技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)RonA和SCWT的trade-off改善；封裝技術(shù)上支持雙面散熱模塊，支持銀燒結(jié)技術(shù)，并開始下一代先進(jìn)SiC模塊的研發(fā)；成本上ROHM擁有IDM模式的優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了SUB結(jié)晶缺陷減少，以及采用先進(jìn)的晶圓加工技術(shù)和邁向8吋化。
另外，ROHM第四代SiC-MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻和高短路耐量，將在日趨激烈的SiC市場(chǎng)中獲得更多客戶認(rèn)可，搶占市場(chǎng)份額。對(duì)于未來SiC發(fā)展戰(zhàn)略，ROHM計(jì)劃在2025年取得全球30%市場(chǎng)份額。
華燦光電
GaN為第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度是Si的3倍，擊穿電場(chǎng)是Si的10倍，因此，同樣額定電壓的GaN開關(guān)功率器件的導(dǎo)通電阻比Si器件低3個(gè)數(shù)量級(jí)，具有高轉(zhuǎn)換效率、低導(dǎo)通損耗的特性，開關(guān)損耗極低，能夠提高系統(tǒng)整體效率，降低系統(tǒng)整體成本。
同時(shí)，相同耐壓條件下GaN器件尺寸只有Si器件的1/10，大大減小了電路中儲(chǔ)能原件如電容、電感的體積，從而成倍地減少設(shè)備體積，減少銅等貴重原材料的消耗。
華燦光電副總裁 王江波
在《新應(yīng)用下GaN技術(shù)的發(fā)展和挑戰(zhàn)》主題報(bào)告中，華燦光電副總裁王江波指出，GaN材料成為紫外，藍(lán)光，綠光LED和激光器等光電器件實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于照明，顯示，通信，醫(yī)療等多個(gè)領(lǐng)域。
華燦光電具有十幾年GaN相關(guān)的外延及芯片（LED）制造經(jīng)驗(yàn)，在新一代顯示用芯片Mini&Micro LED領(lǐng)域，華燦光電處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位，在Mini LED領(lǐng)域，合作伙伴涵蓋行業(yè)內(nèi)大多數(shù)龍頭企業(yè)，公開披露的包括臺(tái)灣群創(chuàng)、京東方等知名企業(yè)，公司與產(chǎn)業(yè)鏈上下游緊密協(xié)同合作，引領(lǐng)新型高端顯示產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。在Micro 領(lǐng)域，公司中小尺寸產(chǎn)品與戰(zhàn)略客戶合作取得關(guān)鍵進(jìn)展，良率穩(wěn)步提升，滿足客戶系統(tǒng)驗(yàn)證要求; 大尺寸圓片波長(zhǎng)均勻性顯著得到提高，公司巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)與設(shè)備廠商以及下游戰(zhàn)略客戶聯(lián)合開發(fā)，進(jìn)展順利。
2020年，華燦光電開始進(jìn)入GaN電力電子器件領(lǐng)域，產(chǎn)品主要面向移動(dòng)消費(fèi)電子終端快速充電器、其他電源設(shè)備，云計(jì)算大數(shù)據(jù)服務(wù)器中心、通信及汽車應(yīng)用等領(lǐng)域。目前GaN 電力電子器件外延片已達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，芯片相關(guān)工藝完成階段性開發(fā)，6英寸硅基GaN 電力電子器件工藝已通線，100mm柵寬D-Mode器件靜態(tài)參數(shù)已達(dá)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。華燦光電預(yù)計(jì)2022年底推出650V cascode產(chǎn)品，2023年具備批量生產(chǎn)和代工能力。
英諾賽科
憑借優(yōu)秀的性能，近兩年來GaN技術(shù)在消費(fèi)電子市場(chǎng)的發(fā)展一路突飛猛進(jìn)，普及速度十分快，獲得越來越來越多品牌客戶和消費(fèi)者的認(rèn)可。英諾賽科作為國(guó)內(nèi)GaN功率器件的領(lǐng)軍企業(yè)，已建成中國(guó)首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)生產(chǎn)線，也正以其脫穎而出的銷售表現(xiàn)引領(lǐng)全球GaN產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
英諾賽科高級(jí)經(jīng)理 賀鵬
本次會(huì)議中，英諾賽科高級(jí)經(jīng)理賀鵬帶來了《GaN的應(yīng)用機(jī)會(huì)及挑戰(zhàn)》的主題演講，報(bào)告以碳達(dá)峰、碳中和為背景、結(jié)合GaN功率器件的優(yōu)勢(shì)，聚焦智慧照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，展望了未來GaN在電能變換的優(yōu)勢(shì)和潛力；同時(shí)，對(duì)GaN在當(dāng)前應(yīng)用中的問題和挑戰(zhàn)進(jìn)行了分析，概述了對(duì)應(yīng)的解決方案及方向?？傊S著技術(shù)、應(yīng)用和行業(yè)的發(fā)展，GaN功率器件必將在實(shí)現(xiàn)“雙碳”的道路上大展身手！
作為領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商，英諾賽科的IDM全產(chǎn)業(yè)鏈集成制造模式將為客戶帶來更加高效、高可靠性的產(chǎn)品及解決方案，為氮化鎵產(chǎn)業(yè)乃至化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。
AIXTRON
MOCVD設(shè)備是化合物半導(dǎo)體外延材料研究和生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備，AIXTRON (愛思強(qiáng))是全球領(lǐng)先的MOCVD設(shè)備供應(yīng)商，多年來致力于為量產(chǎn)化合物半導(dǎo)體器件提供高良率的外延技術(shù)解決方案。
愛思強(qiáng)副總經(jīng)理 方子文
本次會(huì)議中愛思強(qiáng)副總經(jīng)理方子文帶來了《實(shí)現(xiàn)GaN和SiC功率器件產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵MOCVD技術(shù)》主題演講，他表示，在全球電力電子系統(tǒng)革新的大趨勢(shì)推動(dòng)下，化合物半導(dǎo)體在未來市場(chǎng)中有非常大的應(yīng)用場(chǎng)景。SiC在越來越多的汽車應(yīng)用逐漸獲得認(rèn)可，而GaN正加速滲透進(jìn)消費(fèi)市場(chǎng)。
為了實(shí)現(xiàn)器件的優(yōu)良性能，外延層的制備至關(guān)重要，方子文博士分析了寬禁帶半導(dǎo)體外延批量生產(chǎn)技術(shù)的最新進(jìn)展，包括用于SiC外延的AIX G5 WWC和用于GaN外延的AIX G5+ C批量生產(chǎn)解決方案。AIX G5 WW C MOCVD使用基于經(jīng)過量產(chǎn)客戶驗(yàn)證的AIXTRON行星式反應(yīng)器平臺(tái)，并導(dǎo)入全自動(dòng)化卡匣式（C2C）晶圓傳輸系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)單腔最大片數(shù)(8 x 6英寸)及最大產(chǎn)能。它同時(shí)提供了靈活的6英寸和4英寸配置，旨在將生產(chǎn)成本壓縮到最低，同時(shí)保持優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量。另外，明年愛思強(qiáng)也將會(huì)在市場(chǎng)推出8英寸設(shè)備。
中國(guó)已經(jīng)成為全球外延設(shè)備的主要驅(qū)動(dòng)力量，愛思強(qiáng)自90年代起開始在中國(guó)開拓市場(chǎng)，未來愛思強(qiáng)還將繼續(xù)參與到更多的技術(shù)活動(dòng)中去，為中國(guó)帶來更多的新技術(shù)與新理念，進(jìn)一步促進(jìn)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。
晶湛半導(dǎo)體
近年來，伴隨GaN功率器件在消費(fèi)電子、工業(yè)和數(shù)據(jù)中心以及新能源汽車、智慧交通等領(lǐng)域受到廣泛歡迎，高質(zhì)量GaN外延材料成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。晶湛半導(dǎo)體是專門提供 GaN 外延解決方案的外延代工廠，生產(chǎn)的GaN外延片產(chǎn)品涵蓋了200V~1200V功率應(yīng)用，可提供耗盡型與增強(qiáng)型兩種結(jié)構(gòu)，并已進(jìn)行了完備的外延相關(guān)專利布局。本次會(huì)議中，晶湛半導(dǎo)體高級(jí)經(jīng)理朱鈺分享了《應(yīng)用于功率器件的GaN外延片進(jìn)展》。
晶湛半導(dǎo)體高級(jí)經(jīng)理 朱鈺
自20世紀(jì)90年代首個(gè)GaN-on-Si HEMT 結(jié)構(gòu)問世以來，由于Si和GaN巨大的材料晶格失配和熱失配所導(dǎo)致的外延生長(zhǎng)難題就長(zhǎng)期困擾業(yè)界，因此，大尺寸高質(zhì)量GaN-on-Si HEMT 外延技術(shù)就成為GaN在電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的巨大挑戰(zhàn)。
繼 2014 年成功推出商用 200mm GaN-on-Si HV HEMT 外延片后，2021年9月，晶湛半導(dǎo)體運(yùn)用其完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的相關(guān)專利技術(shù)，優(yōu)化了AlN成核層和材料應(yīng)力控制技術(shù)，成功攻克12英寸(300mm)無(wú)裂紋 GaN-on-Si外延技術(shù)，在滿足大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用所需的漏電要求前提下，成功覆蓋200V、650V、1200V等不同擊穿電壓應(yīng)用場(chǎng)景需求，厚度不均勻度減小至 0.3%，晶圓翹曲Bow<50μm，為GaN-on-Si外延片導(dǎo)入更加成熟精密的12英寸(300mm) CMOS 工藝線鋪平了道路。
青銅劍技術(shù)
近年來，隨著SiC器件的推陳出新，關(guān)于SiC器件應(yīng)用的研究不斷展開，其中驅(qū)動(dòng)技術(shù)的研究對(duì)于新型半導(dǎo)體器件的應(yīng)用有著重要意義。
青銅劍技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理張行方
本次會(huì)議中，青銅劍技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理張行方為大家?guī)砹恕短蓟栩?qū)動(dòng)技術(shù)解析》主題報(bào)告，報(bào)告中他介紹了SiC與Si器件的差異，相比于Si器件，SiC器件擁有更快的開關(guān)速率、更高的dv/dt、更低的開通閾值以及更差的門極負(fù)壓耐受能力。
鑒于SiC器件開通閾值較低，門極負(fù)壓耐受能力差，容易出現(xiàn)門極誤導(dǎo)通現(xiàn)象，增加米勒鉗位電路用于旁路外部門極電阻，能極大降低回路阻抗。另外，為抑制高速開關(guān)帶來的尖峰電壓的影響，需要在輸出側(cè)增加尖峰電壓抑制電路，來降低震蕩進(jìn)入到芯片的幅值，確保其低于寄生電路的開通閾值，從而有效避免芯片的異常工作。最后他介紹了青銅劍的碳化硅驅(qū)動(dòng)方案、驅(qū)動(dòng)IC、功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。
青銅劍技術(shù)專注于IGBT、MOSFET和碳化硅等功率半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、新能源發(fā)電、工業(yè)節(jié)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，為超過300家客戶提供優(yōu)質(zhì)的電力電子核心元器件產(chǎn)品和解決方案服務(wù)。
集邦咨詢
受益于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化等下游應(yīng)用市場(chǎng)需求的多點(diǎn)爆發(fā)，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迎來了此輪高景氣周期。寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN將通過突破Si性能極限來開拓功率半導(dǎo)體新市場(chǎng)，也將在部分與Si交叉領(lǐng)域達(dá)到更高的性能和更低的系統(tǒng)性成本，是未來功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)方向。
集邦咨詢化合物半導(dǎo)體分析師 龔瑞驕
集邦咨詢化合物半導(dǎo)體分析師龔瑞驕為大家分享了《寬禁帶功率半導(dǎo)體市場(chǎng)現(xiàn)狀及展望》主題報(bào)告，分析了整個(gè)行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)：SiC正在加速垂直整合，而GaN則形成IDM模式與垂直分工并存的局面。另外，龔瑞驕還講述了SiC襯底在整個(gè)產(chǎn)業(yè)中的重要性，國(guó)際功率大廠都在向上延伸滲透進(jìn)材料端，取得SiC襯底資源是進(jìn)入下一代電動(dòng)車功率器件的入場(chǎng)門票。他還提到，未來寬禁帶半導(dǎo)體將電動(dòng)車中大規(guī)模應(yīng)用，隨著汽車平臺(tái)高壓化趨勢(shì)愈演愈烈，預(yù)估2025年電動(dòng)車市場(chǎng)對(duì)6英寸SiC晶圓需求將達(dá)169萬(wàn)片。
沙發(fā)論壇
在最后的沙發(fā)論壇環(huán)節(jié)中，集邦咨詢研究副總王飛擔(dān)任主持，與深圳大學(xué)半導(dǎo)體制造研究院院長(zhǎng)王序進(jìn)院士、三安集成電路銷售總監(jiān)張翎、 晶能光電外延研發(fā)經(jīng)理郭嘯、北方華創(chuàng)華南辦事處總經(jīng)理牛群、高瓴創(chuàng)投運(yùn)營(yíng)合伙人呂東風(fēng)、邑文科技副總經(jīng)理葉國(guó)光，對(duì)當(dāng)前熱度超高的話題展開了積極熱烈的討論和誠(chéng)意滿滿的分享，為部分化合物半導(dǎo)體業(yè)者撥開了迷霧，也貢獻(xiàn)了錦囊妙計(jì)。
沙發(fā)論壇
媒體采訪
本次會(huì)議，邀請(qǐng)到了不少財(cái)經(jīng)與行業(yè)主流媒體，包括鳳凰網(wǎng)、證券時(shí)報(bào)、第一財(cái)經(jīng)、21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道、每日經(jīng)濟(jì)新聞、財(cái)聯(lián)社、半導(dǎo)體行業(yè)觀察、電子發(fā)燒友、問芯Voice、國(guó)際電子商情、電子工程專輯等，同時(shí)也對(duì)現(xiàn)場(chǎng)講者進(jìn)行了深度訪談。
來源：集邦咨詢
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