近日，華燦光電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時稱，公司目前已完成了650V GaN產(chǎn)品的小批量出樣和測試，650V GaN MOSFET出樣，性能可符合高頻AC/DC PD 65W快充應(yīng)用。
華燦光電表示，2022年，在自有外延方面，已啟動6英寸藍(lán)寶石襯底研發(fā)，初步完成650VGaN on Si for D-mode＆E-mode的外延片研發(fā)和流片。在器件方面，完成了650V GaN產(chǎn)品的小批量出樣和測試，650V GaN MOSFET出樣，性能可符合高頻AC/DC PD 65W快充應(yīng)用，為2023年產(chǎn)品全面上市推廣奠定基礎(chǔ)。
華燦光電十五年聚焦GaN在LED領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)，并于2020正式進(jìn)入氮化鎵基電力電子器件領(lǐng)域，產(chǎn)品主要面向移動消費(fèi)電子終端快速充電器、其他電源設(shè)備，云計(jì)算大數(shù)據(jù)服務(wù)器中心、通信及汽車應(yīng)用等領(lǐng)域。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會”。
屆時，華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱紹諺將出席，給大家?guī)怼禛aN功率器件創(chuàng)新應(yīng)用市場前景分析》主題演講，同場還有更多“重量級”嘉賓，給大家進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來。
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