據(jù)長(zhǎng)三角國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)消息，近期，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯粵能”）經(jīng)過近兩年時(shí)間的技術(shù)研發(fā)和測(cè)試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)。
該平臺(tái)采用芯粵能自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時(shí)，有效突破平面MOSFET性能提升瓶頸問題，進(jìn)一步提升芯片性能、大幅降低成本。
據(jù)悉，芯粵能第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)的1200V試制品單片最高良率超過97%，23mm2芯片尺寸下導(dǎo)通電阻為12.5mΩ，比導(dǎo)通電阻為2.3mΩ?cm2，比肩國(guó)際領(lǐng)先廠商主流產(chǎn)品性能指標(biāo)，溫升系數(shù)、開關(guān)損耗、抗雪崩和抗短路能力均能有效滿足產(chǎn)業(yè)應(yīng)用要求，2025年1月已經(jīng)零失效通過HTGB、HTRB、HV-H3TRB等關(guān)鍵可靠性摸底測(cè)試的1000小時(shí)考核。
除第一代產(chǎn)品外，芯粵能也在積極研發(fā)布局第二代、第三代溝槽MOSFET，進(jìn)一步鞏固其在國(guó)內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先地位，實(shí)現(xiàn)對(duì)國(guó)際領(lǐng)先廠商的趕超。
此前2024年，芯粵能完成10億元A輪融資，由廣東省集成電路基金、國(guó)投創(chuàng)業(yè)等機(jī)構(gòu)領(lǐng)投，資金將用于8英寸產(chǎn)線建設(shè)及市場(chǎng)拓展。據(jù)透露，芯粵能規(guī)劃總投資75億元，分兩期建設(shè)年產(chǎn)48萬片碳化硅晶圓生產(chǎn)線，目標(biāo)在2026年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能全面釋放。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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