受益于新能源汽車等應(yīng)用推動，近年我國碳化硅市場需求持續(xù)上升，國內(nèi)廠商碳化硅技術(shù)突破捷報頻傳。近期，又有兩家公司傳出新進展：晶馳機電成功開發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長設(shè)備，實現(xiàn)碳化硅晶體生長技術(shù)新突破；臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術(shù)，突破行業(yè)瓶頸。
1、晶馳機電成功開發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長設(shè)備
3月24日晶馳機電官微消息，今年3月晶馳機電自主研發(fā)的“電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備”通過創(chuàng)新熱場方案完成十二寸多晶生長驗證，為第三代半導(dǎo)體材料低成本擴徑量產(chǎn)提供了全新解決方案。
晶馳機電描述，晶錠形態(tài)完美，表面微凸度精準控制在2.4mm以內(nèi)，成功突破同一爐臺多尺寸生長技術(shù)壁壘，實現(xiàn)了同一臺設(shè)備既可穩(wěn)定量產(chǎn)八寸碳化硅單晶，又完全具備生長十二寸碳化硅單晶的能力。
source：晶馳機電
晶馳機電是浙江大學(xué)杭州科創(chuàng)中心的孵化企業(yè)，產(chǎn)品主要覆蓋第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備碳化硅晶體生長設(shè)備（PVT法）、金剛石生長設(shè)備（MPCVD法）、氧化鎵單晶生長爐、碳化硅源粉合成爐等。
除了國內(nèi)市場之外，今年晶馳機電海外訂單也取得了喜人進展。今年1月，該公司自主研發(fā)、設(shè)計并生產(chǎn)的“全自動碳化硅腐蝕清洗設(shè)備”成功交付海外標(biāo)桿客戶。
設(shè)備采用雙工位設(shè)計，集SiC晶片熱強堿腐蝕、快速清洗，再次超聲清洗和晶片烘干為一體。全封閉式工作臺和強排風(fēng)系統(tǒng)充分避免了操作人員與腐蝕性強堿溶劑的接觸，也有效防止了腐蝕性堿蒸汽對操作人員的身體傷害。整個工藝流程全部自動化控制，操作人員只需完成取放片操作，腐蝕效率高，適合產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
該設(shè)備的交付，不僅標(biāo)志著該公司向海外市場邁出重要一步，也為晶馳機電后續(xù)碳化硅材料制備相關(guān)系列裝備的海外銷售提供了強有力的支持。
2、臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術(shù)
近期，臻晶半導(dǎo)體推出自主研發(fā)的液相法碳化硅電阻爐技術(shù)，為碳化硅晶體生長提供了全新的解決方案。
該單晶爐具有6 – 8英寸大直徑設(shè)計，能夠滿足不同尺寸晶體生長的需求。同時，它還具備多點溫度實時精確監(jiān)控功能，從而實現(xiàn)對溫場空間的實時穩(wěn)定調(diào)控。臻晶半導(dǎo)體的多元活性助溶技術(shù)，通過使用優(yōu)化助熔劑配方，增加了高溫區(qū)碳源的供應(yīng)，從而提高了溶碳量。這一技術(shù)的應(yīng)用，不僅提升了晶體生長的速率，還有效提高了晶體的良率。
臻晶半導(dǎo)體介紹，液相法SiC長時間穩(wěn)定長晶工藝，是其產(chǎn)品差異化的核心競爭力之一。該工藝通過精確控制生長參數(shù)，實現(xiàn)了碳化硅晶體的可控生長。這種可控性不僅體現(xiàn)在晶體生長的速度和質(zhì)量上，還體現(xiàn)在晶體的尺寸和形狀上。通過這一工藝，常州臻晶半導(dǎo)體能夠生產(chǎn)出高品質(zhì)、大尺寸、形狀規(guī)則的碳化硅晶體，滿足了市場對于高性能碳化硅材料的需求。
展望未來，臻晶半導(dǎo)體指出，從技術(shù)角度來看，液相法生長碳化硅具有諸多優(yōu)勢，如較低的生長溫度、容易實現(xiàn)擴徑、長晶厚度不受限制、晶體缺陷密度低等。這些優(yōu)勢使得液相法碳化硅電阻爐在滿足高質(zhì)量要求、降低能耗和成本等方面具有巨大的潛力。
從市場角度來看，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、AR應(yīng)用和光儲充等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對高性能碳化硅材料的需求不斷增加。液相法碳化硅電阻爐能夠生長出高質(zhì)量的碳化硅單晶，滿足這些新興產(chǎn)業(yè)對材料的嚴格要求，因此在市場中具有廣闊的應(yīng)用空間。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）
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