英飛凌、基本半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅技術(shù)新進(jìn)展

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，憑借其耐高壓、高頻、高溫等特性，正成為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能和5G通信等領(lǐng)域的技術(shù)變革引擎。

近期，基本半導(dǎo)體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破：基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品矩陣，覆蓋車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)多場景需求；英飛凌則將基于溝槽的SiC超結(jié)技術(shù)（TSJ）引入其CoolSiC產(chǎn)品線，實(shí)現(xiàn)器件性能與能效的雙重躍升。兩項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展顯示，碳化硅功率器件正朝著提升集成度和降低損耗的方向發(fā)展，有助于下游應(yīng)用實(shí)現(xiàn)能效提升。

1、基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

5月6日，#基本半導(dǎo)體?官微宣布推出新一代碳化硅MOSFET系列新品。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力電源、戶儲(chǔ)逆變器等領(lǐng)域的650V/40mΩ系列產(chǎn)品。

據(jù)基本半導(dǎo)體介紹，其中的650V/40mΩ系列產(chǎn)品通過將元胞間距微縮至4.0μm，在低電壓等級(jí)下實(shí)現(xiàn)了更高性能表現(xiàn)。

這一系列新品將顯著提升終端應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高溫性能，降低能量損耗，助力新能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更高效、更經(jīng)濟(jì)的功率器件解決方案。

source：基本半導(dǎo)體（圖為新一代碳化硅MOSFET參數(shù)列表）

2、英飛凌推出基于溝槽的SiC超結(jié)技術(shù)

5月6日，#英飛凌?科技股份公司宣布，其CoolSiC產(chǎn)品線正式引入基于溝槽的碳化硅超結(jié)技術(shù)（TSJ），將電壓覆蓋范圍擴(kuò)展至400V至3.3kV，全面覆蓋汽車電驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電、光伏逆變、儲(chǔ)能系統(tǒng)及工業(yè)牽引等核心領(lǐng)域。

英飛凌此次技術(shù)升級(jí)延續(xù)了其在硅基超結(jié)技術(shù)（CoolMOS）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，通過將溝槽柵極結(jié)構(gòu)與超結(jié)電荷平衡原理結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了器件性能的突破性提升。

英飛凌表示，英飛凌正在利用 SiC TSJ 技術(shù)逐步擴(kuò)展其 CoolSiC 產(chǎn)品組合。此次擴(kuò)展將涵蓋多種封裝類型，包括分立器件、模制和基于框架的模塊，以及裸片。擴(kuò)展后的產(chǎn)品組合將滿足廣泛的應(yīng)用需求，同時(shí)針對(duì)汽車和工業(yè)領(lǐng)域。

3、結(jié)語

當(dāng)前碳化硅技術(shù)突破正推動(dòng)器件性能與能效持續(xù)提升，基本半導(dǎo)體與英飛凌的技術(shù)進(jìn)展為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等場景提供了更優(yōu)的功率解決方案。隨著工藝成熟與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同深化，碳化硅器件的規(guī)模化應(yīng)用進(jìn)程有望進(jìn)一步加速。（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）