晶馳機(jī)電:交付河北首臺(tái)12英寸碳化硅設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 05 月 20 日 15:46 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

5月18日,河北晶馳機(jī)電 有限公司(以下簡(jiǎn)稱“晶馳機(jī)電”)舉行了河北省首臺(tái)(套)12寸電阻法高純碳化硅晶體生長(zhǎng)爐交付儀式。

source:正定發(fā)布

據(jù)悉,晶馳機(jī)電此次交付的12寸電阻法高純碳化硅晶體生長(zhǎng)爐采用了電阻式物理氣相傳輸(PVT)方法,通過(guò)創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)和熱場(chǎng)設(shè)計(jì),結(jié)合先進(jìn)的過(guò)程控制理論和自動(dòng)化控制方法,實(shí)現(xiàn)了均勻的徑向溫度和寬范圍精準(zhǔn)可調(diào)的軸向溫度梯度。這種設(shè)計(jì)使得設(shè)備能夠精準(zhǔn)控制長(zhǎng)晶過(guò)程中的工藝參數(shù),并實(shí)現(xiàn)高度智能化運(yùn)行。消息顯示,該設(shè)備能夠無(wú)縫“一鍵切換”生產(chǎn)8英寸和12英寸的碳化硅單晶,大大提高了設(shè)備的靈活性和生產(chǎn)效率。

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與傳統(tǒng)6英寸和8英寸的襯底相比,12英寸碳化硅襯底材料顯著擴(kuò)大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積。在同等生產(chǎn)條件下,這不僅提高了芯片產(chǎn)量,還顯著降低了單位芯片制造成本。此外,通過(guò)該設(shè)備生長(zhǎng)出來(lái)的晶錠形態(tài)完美,表面微凸度精準(zhǔn)控制在2.4毫米以內(nèi)。設(shè)備的爐間工藝穩(wěn)定,操作方法簡(jiǎn)單,可實(shí)現(xiàn)快速投產(chǎn),整個(gè)工藝流程全部自動(dòng)化控制,適合產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

官方資料顯示,晶馳機(jī)電成立于2021年7月,總部與研發(fā)中心位于杭州市浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心。公司專注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣。2024年年末,晶馳機(jī)電在河北石家莊建成了一個(gè)半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目,并于11月初投產(chǎn)。該項(xiàng)目總投資2億元,占地約50.26畝,總建筑面積約20000平方米,分兩期建設(shè),一期建設(shè)計(jì)劃時(shí)間為2025年—2026年。該項(xiàng)目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心,致力于推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體材料裝備的自主創(chuàng)新發(fā)展。

12寸電阻法高純碳化硅晶體生長(zhǎng)爐的成功交付,不僅為晶馳機(jī)電在半導(dǎo)體材料裝備制造領(lǐng)域樹(shù)立了新的里程碑,也為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控發(fā)展提供了有力支持。未來(lái),晶馳機(jī)電將繼續(xù)深化產(chǎn)學(xué)研合作,強(qiáng)化自主創(chuàng)新能力,不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能,提高技術(shù)成果轉(zhuǎn)化效率。同時(shí),公司還將進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,以滿足全球市場(chǎng)對(duì)高性能碳化硅材料的需求。

source:晶馳機(jī)電

值得注意的是,早在今年3月,晶馳機(jī)電就成功完成了12英寸多晶生長(zhǎng)驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)了同一爐臺(tái)8英寸和12英寸碳化硅單晶的穩(wěn)定量產(chǎn),標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)設(shè)備在大尺寸碳化硅襯底技術(shù)攻堅(jiān)中取得了新的突破。今年1月,晶馳機(jī)電開(kāi)發(fā)的8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐通過(guò)客戶驗(yàn)證,并正式開(kāi)啟了小批量交付。此外,其自主研發(fā)的“全自動(dòng)碳化硅腐蝕清洗設(shè)備”也成功交付海外客戶。

除了河北晶馳機(jī)電有限公司外,還有多家企業(yè)在12英寸碳化硅設(shè)備領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展并實(shí)現(xiàn)交付或即將交付。

近日,山東力冠微電子裝備已攻克12英寸PVT電阻加熱長(zhǎng)晶爐的研發(fā)難關(guān),并于近期完成首批兩臺(tái)設(shè)備的交付,計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)12英寸設(shè)備的批量供貨。此外,大族半導(dǎo)體在8/12英寸SiC襯底激光剝離技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了三大新突破,推動(dòng)大尺寸碳化硅襯底加工邁向“低成本、高良率”時(shí)代。江蘇天晶智能也于4月8日正式發(fā)布了12英寸碳化硅超硬材料超高速多線切割機(jī)。

這些企業(yè)的突破進(jìn)一步推動(dòng)了我國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料裝備制造領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力。

(集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理)

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