“廣東致能半導體有限公司”官微消息,近期,廣東致能創(chuàng)始人黎子蘭博士參加在瑞典舉辦的第十五屆國際氮化物半導體會議(ICNS-15)并作邀請報告(Invited Talk)。報告分享了團隊在硅基垂直氮化鎵功率器件(GaN HEMT)技術上的原創(chuàng)性突破及應用前景。
廣東致能團隊全球首創(chuàng)...  [詳內文]
廣東致能:全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術 |
作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 07 月 16 日 13:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN |