近日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)官方微信消息,其標(biāo)準(zhǔn)化委員會(CASAS)公布了13項標(biāo)準(zhǔn)新進展,包括2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案、2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見、9項SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制。
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第三代半導(dǎo)體13項標(biāo)準(zhǔn)有新進展 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 07 月 31 日 17:20 | 分類 功率 |