近日，晶能、三菱電機、悉智科技相繼發(fā)布了碳化硅功率器件/模塊新品，其中包括溝槽柵SiC-MOSFET。
晶能發(fā)布太乙混合功率器件，采用SiC&IGBT并聯設計
11月12日，據晶能微電子官微消息，由吉利汽車集團中央研究院新能源開發(fā)中心、技術規(guī)劃中心、電子電器中心和零部件產業(yè)中心攜手行業(yè)內零部件、半導體企業(yè)及高校、科研院所共同舉辦的“吉利汽車功率半導體技術創(chuàng)新平臺”揭牌儀式于11月4日舉行。
source：晶能
揭牌儀式上，平臺發(fā)布了首期成果——太乙混合功率器件。太乙混合功率器件為平臺首期合作伙伴晶能、意法半導體等聯合開發(fā)的平臺化方案，采用SiC&IGBT 并聯設計，峰值功率可拓展150-260kw，系統尺寸僅為A4紙大小，出流能力超過430A。
三菱電機提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片樣品
11月12日，據三菱電機官微消息，三菱電機將于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）和其他電動汽車（xEV）電驅逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）裸片樣品，這是三菱電機首款標準規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導體芯片。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結合了特有的芯片結構和制造技術，有助于提升逆變器性能、延長續(xù)航里程和提高xEV的能源效率。
source：三菱電機
據介紹，三菱電機于1997年開始量產用于xEV的功率半導體模塊，并已應用于各種電動汽車（EV）和混合動力電動汽車（HEV）。2024年3月，其開始供應J3系列xEV功率半導體樣品，該系列產品采用最新壓注模（T-PM）技術實現小型化設計，在汽車市場得到廣泛應用。
三菱電機的新型功率半導體芯片是一種特有的溝槽柵SiC-MOSFET，與傳統的平面柵SiC-MOSFET相比，其功率損耗降低了約50%。特有的制造技術，如抑制功率損耗和導通電阻波動的柵極氧化膜工藝，讓新款芯片更加耐久穩(wěn)定，有助于提高逆變器的耐用性和xEV性能。
悉智科技推出車載OCDC混合功率模塊
11月13日，據悉智科技官微消息，悉智科技近日推出自主創(chuàng)新的下一代車載OCDC混合功率模塊，實現全國產化Si/SiC器件導入。
source：悉智科技
據介紹，國內車企關注OCDC體積，國內OCDC目前量產方案中絕大部分采用立體水道器件底部散熱，包括傳統單管方案和鋁基板方案兩種，悉智科技推出的下一代OCDC功率模塊適用于立體水道。（集邦化合物半導體Zac整理）
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