7月22日,韓國化合物半導體公司Siegtronics宣布,公司已開發(fā)出可應用于高速開關的氧化鎵(Ga2O3)肖特基勢壘二極管(SBD)。
source:Siegtronics
據(jù)悉,氧化鎵是一種寬帶隙(WBG)材料,與碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)相比,具有更寬帶隙和更高的臨界擊穿場強。它克服了現(xiàn)有產品的缺點——低擊穿電壓(VB)和高漏電流(IL),實現(xiàn)了差異化的高壓、大電流、耐高溫、高效率應用,在電動汽車的電源轉換器、電驅和逆變器等領域應用備受關注。
氧化鎵普遍被業(yè)界認為是“第四代半導體”材料,目前以美國、中國、日本為代表的相關企業(yè)和機構正對其開展研發(fā)工作。
但與其他寬帶隙材料相比,相關研發(fā)(R&D)程度較低,尚未達到全面商業(yè)化階段。因此,全球許多半導體相關機構和公司都在努力搶占氧化鎵市場。
Siegtronics表示,公司通過“開發(fā)具有低缺陷特性的高級氧化鎵外延材料和擊穿電壓為1kV或更高的功率器件技術”項目,成功研制出了韓國首個1200V級氧化鎵SBD。
需要注意的是,氧化鎵通過最大限度地降低半導體器件的漏電流和導通電阻,不僅有望應用于普通家電和IT設備的逆變器和轉換器,還有望應用于電動汽車充電模塊、國防、航空航天領域,為實現(xiàn)器件功耗的小型化、微型化和輕量化做出貢獻。(集邦化合物半導體Rick編譯)
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