Author Archives: huang, Mia

搶奪賽位，第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)局激烈
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 04 日 15:38 | 分類 功率
目前，第三代半導(dǎo)體是全球戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新的制高點(diǎn)，也是各地區(qū)的重點(diǎn)扶持行業(yè)，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安世半導(dǎo)體、三安光電等頭部廠商順勢(shì)而上，加速布局第三代半導(dǎo)體，市場(chǎng)戰(zhàn)火已燃，一場(chǎng)群雄逐鹿之戰(zhàn)正在上演。 多方來(lái)戰(zhàn)，“直搗”三代半核心環(huán)節(jié) 第三代半導(dǎo)體欣欣向榮，八方入局，搶奪市場(chǎng)重要賽位，擁...  [詳內(nèi)文]

晶圓代工大廠出手，GaN新添2起收購(gòu)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 02 日 16:56 | 分類 企業(yè)
步入7月，氮化鎵（GaN）領(lǐng)域新增兩起收購(gòu)案。 格芯收購(gòu)Tagore GaN技術(shù)和相關(guān)團(tuán)隊(duì) 7月1日，晶圓代工大廠格芯（GF）宣布，公司收購(gòu)了Tagore Technology經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的專有功率氮化鎵（GaN）IP產(chǎn)品組合。 source：拍信網(wǎng) 該產(chǎn)品組合是一種高功率密度解...  [詳內(nèi)文]

芯塔電子功率模塊大批量出貨
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 02 日 16:54 | 分類 功率
近日，芯塔電子核心型號(hào)功率模塊產(chǎn)品成功下線，已大批量交付工業(yè)領(lǐng)域標(biāo)桿客戶。 芯塔電子表示，以湖州功率模塊封裝產(chǎn)線為依托，公司正在開發(fā)性能更出色的車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊。 據(jù)介紹，芯塔電子湖州功率模塊封裝產(chǎn)線總投資1億元，于2024年初正式通線，目前處于量產(chǎn)爬坡階段。產(chǎn)線全部達(dá)產(chǎn)后，...  [詳內(nèi)文]

一汽年產(chǎn)20萬(wàn)臺(tái)碳化硅電驅(qū)項(xiàng)目落地長(zhǎng)春
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 02 日 14:49 | 分類 企業(yè)
6月27日，長(zhǎng)春市生態(tài)局披露了M190-150（SiC）電驅(qū)生產(chǎn)準(zhǔn)備建設(shè)項(xiàng)目環(huán)評(píng)報(bào)告表。 報(bào)告表顯示，該項(xiàng)目負(fù)責(zé)人為中國(guó)第一汽車股份有限公司。項(xiàng)目位于吉林省長(zhǎng)春市長(zhǎng)春汽車經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)長(zhǎng)春國(guó)際汽車城創(chuàng)意汽車研發(fā)產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)，后續(xù)將租用廠房進(jìn)行建設(shè)，依托M220電驅(qū)生產(chǎn)線，對(duì)部分設(shè)...  [詳內(nèi)文]

成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 14:20 | 分類 功率
據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。 據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來(lái)制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(zhǎng)（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體2025年碳化硅將全面升級(jí)為8英寸
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 14:17 | 分類 企業(yè)
6月28日，據(jù)韓媒報(bào)道，意法半導(dǎo)體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級(jí)為8英寸。該計(jì)劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率，以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格向市場(chǎng)供應(yīng)SiC功率半導(dǎo)體。 意法半導(dǎo)體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者...  [詳內(nèi)文]

14.5億！安世半導(dǎo)體將新建8英寸SiC和GaN產(chǎn)線
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 28 日 16:37 | 分類 企業(yè)
6月27日，半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合人民幣14.5億元）開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等下一代寬帶隙半導(dǎo)體（WBG），并在德國(guó)漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。 同時(shí)，硅（Si）二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能也將增加。這些投資是與漢堡經(jīng)濟(jì)...  [詳內(nèi)文]

VCSEL芯片廠商識(shí)光完成Pre-A+輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 28 日 16:33 | 分類 光電
6月27日，據(jù)和高資本官微消息，蘇州識(shí)光芯科技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱識(shí)光）于近日完成Pre-A+輪融資，本輪投資方包括和高資本、星奇基金等，融資資金將主要用于產(chǎn)品推進(jìn)和團(tuán)隊(duì)建設(shè)。 官網(wǎng)資料顯示，識(shí)光致力于為自動(dòng)駕駛、機(jī)器人、XR等終端應(yīng)用提供高性能、高可靠性和低成本的SPAD-So...  [詳內(nèi)文]

最高金額達(dá)10億，2家化合物半導(dǎo)體公司完成融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 27 日 17:55 | 分類 射頻
無(wú)論是前端射頻器件還是垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL），二者都與GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體材料有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系。近日，這兩個(gè)領(lǐng)域各有一起融資案，融資金額最高達(dá)10億。 射頻廠商星曜半導(dǎo)體完成10億元融資 6月27日，國(guó)產(chǎn)TF-SAW射頻濾波器企業(yè)浙江星曜半導(dǎo)體有限公...  [詳內(nèi)文]

碳化硅新應(yīng)用，熱電池轉(zhuǎn)換效率創(chuàng)新高
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:33 | 分類 功率
長(zhǎng)時(shí)間電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能將出現(xiàn)新的解方。美國(guó)密西根大學(xué)開發(fā)的熱電池，其熱能轉(zhuǎn)換器效率達(dá)到44%，表現(xiàn)也優(yōu)于常見的蒸汽渦輪機(jī)，其平均效率為35%。 太陽(yáng)能、風(fēng)力發(fā)電成本雖然快速下跌，但是只有再生能源價(jià)格下降還不夠，因?yàn)榫G能為間歇性能源，日落或是沒有風(fēng)的時(shí)候，還是需要“電池“等儲(chǔ)能系統(tǒng)輔助，...  [詳內(nèi)文]