Author Archives: huang, Mia

TrendForce：2024年全球公共充電樁增長率大幅放緩，中國與韓國引領(lǐng)市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 22 日 16:09 | 分類 數(shù)據(jù)
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，全球汽車公共充電樁布建受土地和電網(wǎng)規(guī)劃等因素影響，加上新能源車市場(chǎng)增長放緩，預(yù)估2024年增長率為30%，較2023年的60%大幅下滑。分析各主要市場(chǎng)情況，中國仍保有全球最多的公共充電樁，估計(jì)至2024年底將達(dá)360萬座，占全球近70%。...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵初創(chuàng)公司拓諾稀科技獲數(shù)百萬天使輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 20 日 17:30 | 分類 功率
11月14日，香港科技大學(xué)（廣州）宣布，學(xué)校孵化企業(yè)“拓諾稀科技”于近日完成天使輪融資。該輪融資數(shù)百萬元人民幣，由力合科創(chuàng)領(lǐng)投。 資料顯示，拓諾稀科技成立于2022年，公司專注于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開發(fā)。 據(jù)介紹，拓諾稀科技提供的核心產(chǎn)品涵蓋高性能氧化鎵肖特基...  [詳內(nèi)文]

總投資30億！南京國博電子射頻項(xiàng)目二期封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 20 日 17:28 | 分類 射頻
11月15日，據(jù)中鐵建工集團(tuán)消息，國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化（二期）項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)已全面封頂，全面轉(zhuǎn)入二次結(jié)構(gòu)、機(jī)電安裝及裝飾裝修施工階段。 source：中鐵建工集團(tuán) 據(jù)悉，國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目由南京國博電子有限公司投資建設(shè)，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房及附屬...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed宣布重大人事異動(dòng)：CEO離職
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 19 日 17:05 | 分類 企業(yè)
11月18日，Wolfspeed發(fā)布公告稱，董事會(huì)已決定并同意Gregg Lowe將于本月辭去Wolfspeed總裁兼首席執(zhí)行官和董事會(huì)成員的職務(wù)。董事會(huì)正在與一家全球高管獵頭公司合作，尋找一位新常任首席執(zhí)行官。 Gregg Lowe（source：美國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)） 目前，董事...  [詳內(nèi)文]

廣州粵升半導(dǎo)體商宣布碳化硅外延設(shè)備大批量出貨
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 18 日 17:28 | 分類 企業(yè)
11月18日，廣州粵升半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（下文簡稱“廣州粵升”）宣布，公司已在今年9月實(shí)現(xiàn)碳化硅（SiC）外延設(shè)備的大批量出貨。 source：廣州粵升 廣州粵升表示，此批設(shè)備在第一代外延爐基礎(chǔ)上做了進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì)，具備生產(chǎn)高質(zhì)量、高穩(wěn)定性的外延片生產(chǎn)能力。 資料顯示，廣州粵升...  [詳內(nèi)文]

美國向韓國碳化硅晶圓廠提供39億貸款
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 15 日 17:59 | 分類 企業(yè)
11月12日，美國能源部宣布向SK Siltron CCS提供5.44億美元（折合人民幣約39.32億元）貸款（4.815億美元本金和6250萬美元資本化利息），以擴(kuò)大用于電動(dòng)汽車（EV）電力電子設(shè)備的高質(zhì)量碳化硅（SiC）晶圓的在美制造。 公開資料顯示，SK Siltron C...  [詳內(nèi)文]

廣東珠海100億碳化硅相關(guān)項(xiàng)目投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 15 日 17:58 | 分類 功率
據(jù)珠海網(wǎng)消息，11月14日，總投資約100億元的珠海奕源半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目在金灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園開工建設(shè)。 source：觀海融媒 據(jù)介紹，珠海奕源項(xiàng)目是北京奕斯偉集團(tuán)聚焦半導(dǎo)體行業(yè)上游先進(jìn)材料，在金灣區(qū)打造的集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地。該項(xiàng)目由華發(fā)集團(tuán)戰(zhàn)略...  [詳內(nèi)文]

深重投國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)亮相
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 15 日 17:57 | 分類 功率
11月15日，深重投集團(tuán)投建的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)在中國國際高新技術(shù)成果交易會(huì)（簡稱：高交會(huì)）上，召開建成發(fā)布會(huì)。 source：高交會(huì) 據(jù)介紹，建成發(fā)布的深圳綜合平臺(tái)具備碳化硅、氮化鎵及超寬禁帶功率材料與器件研發(fā)、集成設(shè)計(jì)及試制能力。 深圳綜合平臺(tái)主要由三...  [詳內(nèi)文]

印度開發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分類 功率
據(jù)外媒報(bào)道，11月11日，印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實(shí)驗(yàn)室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達(dá)150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅，天科合達(dá)北京二期項(xiàng)目正式開工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:53 | 分類 功率
11月12日，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“天科合達(dá)”）“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目”開工儀式在北京順利舉行。 source：天科合達(dá) 據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前報(bào)道，二期項(xiàng)目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程?hào)|側(cè)空地；項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]