昨（19）日，普萊思半導體（Plessey）發(fā)布新聞稿宣布，公司已購買愛思強（AIXTRON ）的AIX G5+ C有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）反應(yīng)器。此前，公司已向愛思強訂購了一個反應(yīng)器。
普萊思致力于采用硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)下一代Micro LED應(yīng)用，而愛思強的MOCVD反應(yīng)器將增強其硅基氮化鎵外延片的制造能力。公司擬在2019年第一季度期間將此反應(yīng)器安裝在其位于英國普利茅斯（Plymouth）的制造工廠（27萬平方公尺）并投入使用。
新的愛思強反應(yīng)器提供自動卡匣式（C2C）晶圓傳輸模塊晶片傳送模塊，具備兩個獨立的腔體配置選項，可實現(xiàn)8×6英寸或5×8英寸硅基氮化鎵外延片在封閉的卡匣環(huán)境中的自動加載與移除。而普萊思現(xiàn)有的愛思強MOCVD反應(yīng)器則可人工加載7×6英寸或3×8英寸外延片。
新反應(yīng)器的自動化清潔技術(shù)能夠確保設(shè)備在每次運行時都處于清潔狀態(tài)，有助于降低晶圓缺陷率并大幅減少維修停工時間。此外，新設(shè)備還具有更快的傾斜升溫與冷卻以及高的基座卸載溫度，從而縮短配方時間。
普萊思表示，AIX G5+ C反應(yīng)器能夠增強基于公司專有硅基氮化鎵技術(shù)的單片Micro LED的研發(fā)能力。公司的Micro LED具備極低功耗、高亮度與超高像素密度等特點，將對使用LCD和OLED等傳統(tǒng)技術(shù)的現(xiàn)有應(yīng)用領(lǐng)域帶來潛在的沖擊。
普萊思旨在成為開發(fā)創(chuàng)新顯示引擎和全磁場自發(fā)光Micro LED顯示器的全球領(lǐng)導照明商。該設(shè)備結(jié)合了超高密度RGB像素陣列與高性能互補金屬氧化物半導體（CMOS）背板，具有高亮度、低功耗及高幀頻圖像源等特點，可用于AR/VR系統(tǒng)的頭戴式顯示器和穿戴式電子設(shè)備。
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