昨（1）日，日本UV LED制造商N(yùn)itride Semiconductors宣布投資1億日元（折合人民幣約614萬元）設(shè)立全資子公司Micro Nitride。該子公司將專注于研發(fā)、制造和銷售用于Micro LED顯示器的Micro UV LED芯片，2018年11月1日起開始運(yùn)營(yíng)。
據(jù)悉，目前有兩大制造Micro LED顯示屏的主流方法。其一是采用紅綠藍(lán)光的三基色LED；其二是通過藍(lán)光LED激發(fā)紅綠熒光粉搭配藍(lán)光LED實(shí)現(xiàn)全彩化。
三基色LED方法中，由于其材料易碎，無法制造出μ紅色芯片，高密度、具有不同結(jié)構(gòu)和不同顏色的LED芯片安裝難度也很大。同時(shí)，它們的電流、電壓及反應(yīng)速度都不同，因此難以實(shí)現(xiàn)對(duì)每個(gè)芯片的控制。
而μBlue LED激發(fā)方法則可以將所有安裝好的LED芯片集成到μ藍(lán)光LED中，降低了安裝難度，電源和電壓也能夠?qū)崿F(xiàn)統(tǒng)一。但是，藍(lán)光是主動(dòng)發(fā)光，而紅光和綠光是通過激發(fā)產(chǎn)生，所以會(huì)出現(xiàn)反應(yīng)速度的時(shí)間滯后問題。另外，藍(lán)光激發(fā)導(dǎo)致紅光和綠光亮度低，因此顏色再現(xiàn)性較差。
（圖片來源：Nitride官網(wǎng)）
值得注意的是，Nitride Semiconductors采用μUV-LED +RGB熒光粉，解決了這個(gè)問題。該公司發(fā)現(xiàn)制造具備N層和P層超線性結(jié)構(gòu)(SLS)的μUV-LED芯片，發(fā)光效率提高了一倍（專利申請(qǐng)中）。這主要是由于擴(kuò)散電流的距離短，發(fā)光復(fù)合率提高，內(nèi)部量子效率提升，發(fā)光層到外部的距離變短，進(jìn)而外部量子效率得到提高。
（圖片來源：Nitride官網(wǎng)）
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