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氧化鎵器件未來10年有望直接與碳化硅器件競爭
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 19 日 17:25 | 分類 碳化硅SiC
近日，中科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）成功被大會接收。 中國科學院院士郝躍表示，氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一，在未來的10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件，會直接...  [詳內(nèi)文]

55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 19 日 17:24 | 分類 氮化鎵GaN
近日，國家科技部公布了2022年國家重點研發(fā)計劃立項資助名單。55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批。 “寬帶射頻功率放大器”項目基于第三代半導體GaN開展超寬帶射頻功率管的設計與制造研究，計劃研究一套寬頻帶射頻功率放大器，實現(xiàn)寬帶射頻功放在超高場磁共振的工程應用，為...  [詳內(nèi)文]

背靠吉利，碳化硅公司晶能完成Pre-A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 19 日 17:23 | 分類 碳化硅SiC
12月15日，吉利科技集團旗下浙江晶能微電子有限公司（以下簡稱“晶能”）宣布完成Pre-A輪融資，由華登國際領投，嘉御資本、高榕資本、沃豐實業(yè)等機構跟投。 據(jù)悉，本輪融資主要用于功率半導體模塊的研發(fā)投入、產(chǎn)線建設以及技術團隊搭建等方面。 晶能CEO潘運濱表示，明年將有多款產(chǎn)品開始...  [詳內(nèi)文]

SiC材料企業(yè)志橙半導體擬A股IPO
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 19 日 17:20 | 分類 碳化硅SiC
12月15日，證監(jiān)會披露了國泰君安證券關于深圳市志橙半導體材料股份有限公司（簡稱：志橙半導體）首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告，A股IPO征程正式開啟。 志橙半導體成立于2017年底，專注于為半導體芯片設備提供核心部件-SiC涂層石墨基座，據(jù)稱是國內(nèi)首家、也是唯一一家實現(xiàn)石墨盤...  [詳內(nèi)文]

富士康13.62億元新臺幣加碼車用第三代半導體
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 16 日 17:17 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)臺媒報道，鴻海持續(xù)布局電動車和半導體事業(yè)，今日公告合計投資13.62億元新臺幣在電動車子公司以及鴻揚半導體，市場解讀稱，這兩項投資主要布局研發(fā)電動車用第三代半導體。 鴻海表示，子公司Foxconn EV Technology Inc.再投資2000萬美元(約6.14億元新臺幣)...  [詳內(nèi)文]

合盛硅業(yè)子公司擬增資2億，加快碳化硅業(yè)務發(fā)展
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 16 日 17:15 | 分類 碳化硅SiC
12月15日，合盛硅業(yè)發(fā)布公告稱，為加快公司碳化硅業(yè)務的發(fā)展、擴大業(yè)務規(guī)模，確保滿足子公司正常運作所需資金需求，公司全資子公司合盛新材擬進行增資，注冊資本由10,000萬元增加至12,500萬元，新增注冊資本由外部投資者寧波聯(lián)江、厚一投資、孟擎實業(yè)以及公司關聯(lián)方暨公司副董事長羅燚...  [詳內(nèi)文]

SiC相關企業(yè)燕東微上市，市值超270億元
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 16 日 17:13 | 分類 碳化硅SiC
12月16日，燕東微在上海證券交易所科創(chuàng)板上市，發(fā)行價格21.98元/股，發(fā)行市盈率為68.39倍。 截至成文，燕東微上漲3.64%，報22.78元/股，總市值272.9億元。 圖片來源：同花順 燕東微是一家集芯片設計、晶圓制造和封裝測試于一體的半導體企業(yè)，主營業(yè)務包括產(chǎn)品與方...  [詳內(nèi)文]

近16億，功率器件龍頭加購SiC材料
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 16 日 17:10 | 分類 碳化硅SiC
12月15日，Wolfspeed宣布擴大與一家功率器件廠商的SiC襯底多年長期供貨協(xié)議，在原本已簽訂協(xié)議的基礎上，合同金額增加至2.25億美金（約合人民幣15.68億元），按照新簽的協(xié)議，Wolfspeed將向這家功率器件廠供應6英寸SiC襯底及外延片。 SiC有利于實現(xiàn)小型化...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科出貨量破億
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 16 日 16:41 | 分類 氮化鎵GaN
據(jù)外媒報道，英諾賽科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。 據(jù)化合物半導體市場了解，英諾賽科的8英寸晶圓產(chǎn)線自2019年開始大規(guī)模生產(chǎn)，并于2021年成為全球首家實現(xiàn)8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)，產(chǎn)能足以支撐全球市場對GaN FETs的強勁需求。2022年，英諾賽...  [詳內(nèi)文]

吉光半導體激光技術創(chuàng)新中心產(chǎn)線建設項目竣工
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 15 日 11:16 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)報道，近日，吉光半導體激光技術創(chuàng)新中心產(chǎn)線建設項目如期竣工，潔凈實驗室廠房及動力配套系統(tǒng)投入使用，第一款產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)出貨。 “我們擁有國際先進的半導體激光芯片量產(chǎn)線及研發(fā)線，大部分工藝環(huán)節(jié)實現(xiàn)自動化，具備多款高速、高功率半導體激光芯片的產(chǎn)品化能力，可提供芯片流片及中試驗證等創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]