據(jù)外媒報(bào)道，英諾賽科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。
據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，英諾賽科的8英寸晶圓產(chǎn)線自2019年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，并于2021年成為全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)，產(chǎn)能足以支撐全球市場(chǎng)對(duì)GaN FETs的強(qiáng)勁需求。2022年，英諾賽科的銷量成功突破1億。
英諾賽科首席營(yíng)銷官馮雷博士表示，這在行業(yè)里是第一次，具有里程碑式的意義，也驗(yàn)證了英諾賽科GaN器件的質(zhì)量和可靠性。
除了銷量出眾之外，英諾賽科在2022年期間也做了幾番大事。一方面，英諾賽科通過(guò)在美國(guó)、歐洲、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣及日本設(shè)立市場(chǎng)營(yíng)銷及客戶支持中心，順利并快速地開(kāi)展國(guó)際業(yè)務(wù)。另一方面，英諾賽科在國(guó)內(nèi)完成了30億元的D輪融資，8英寸硅基GaN器件的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品生產(chǎn)、市場(chǎng)拓展等全面提速。
這一年，英諾賽科也在不斷完善產(chǎn)品組合，推出多個(gè)新的產(chǎn)品系列，現(xiàn)已覆蓋30-150V、650V。以Bi-GaN為例，一顆Bi-GaN就能替代共漏連接的背靠背兩顆NMOS，實(shí)現(xiàn)電池的充電和放電電流的雙向開(kāi)關(guān)，使相同占板面積下的導(dǎo)通電阻降低50%，溫升降低40%，提高手機(jī)內(nèi)部空間利用率。目前，OPPO、realme均已導(dǎo)入英諾賽科的Bi-GaN產(chǎn)品。
另外，在電動(dòng)汽車應(yīng)用領(lǐng)域，英諾賽科珠海工廠已通過(guò)汽車認(rèn)證，預(yù)計(jì)將在2024年生產(chǎn)用于汽車應(yīng)用的8英寸硅基GaN器件。目前，珠海工廠GaN晶圓月產(chǎn)能為4000片，到2025年，珠海和蘇州兩大基地的月產(chǎn)能預(yù)計(jì)可達(dá)70000片左右。
目前，國(guó)內(nèi)已有頂級(jí)車載激光雷達(dá)客戶采用了英諾賽科的GaN器件。除此之外，英諾賽科也已開(kāi)始聯(lián)合國(guó)內(nèi)及韓國(guó)的大型Tier 1廠商共同研發(fā)GaN車用項(xiàng)目。
總的來(lái)說(shuō)，今年，英諾賽科在各方面取得了突破性的進(jìn)展。接下來(lái)，隨著GaN技術(shù)逐步打開(kāi)電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源等領(lǐng)域的應(yīng)用空間，英諾賽科將在產(chǎn)能規(guī)模、客戶群不斷擴(kuò)大的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升產(chǎn)品銷量和市場(chǎng)占有率。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny編譯）
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